6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
長谷川 幸雄
東大物性研
-
窪田 政一
東大物性研
-
村田 好正
東大物性研
-
栃原 浩
北大触媒研
-
桜井 利夫
東大物性研
-
橋詰 富博
東大物性研院
-
神谷 格
東大物性研
-
栃原 浩
東大物性研
-
橋詰 富博
東大物性研
関連論文
- 局所表面ポテンシャル測定と遮蔽効果・フリーデル振動の観測 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (物性イメージング)
- 20pGP-3 ナノサイズ超伝導体中の量子磁束および遮蔽ポテンシャルの走査トンネル分光による視覚化(20pGP 領域9シンポジウム,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-8 走査トンネル顕微鏡を用いたPbナノアイランド構造における超伝導状態の研究(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 21aHX-5 STMによるナノ構造超伝導体中の渦糸観察と操作(21aHX 領域6シンポジウム:ナノ構造超伝導体中の量子磁束とそのダイナミクスの可視化の新展開,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
- 12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- 4a-E-4 K/Cu(100)の光電子分光
- 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- アルミニウム合金のG.P.ゾーンのAP-FIMによる研究(合金の相変態とその前駆現象,科研費研究会報告)
- 27pYB-10 Si(111)-√×√-Ag表面によるナノサイズリング構造の作成と評価(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aYE-9 Au(111)表面上のPd薄膜における表面準位(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 27aWP-12 放射光励起STMの開発と性能評価(2)(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 21aYD-5 放射光励起 STM の開発と性能評価
- 20aPS-75 AFM を用いた陽極酸化
- 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
- 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
- 29pYH-15 ボロンドープ単層ナノチューブFETの電気特性 : 超伝導との相関(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aXB-1 放射光励起STMによる元素分析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡の開発
- 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 表面二次元電子系に遮蔽されたポテンシャルの走査トンネル分光による実空間観察
- 30aPS-55 極低温走査トンネル顕微鏡を用いた微小超伝導系におけるボルテックス直接観察の試み(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pYB-10 水晶-長辺振動振動子を用いた極低温非接触原子間力顕微鏡の開発(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-9 Si(111)-√×√-Ag表面における表面局所ポテンシャルの測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aWF-1 極低温走査トンネル顕微鏡によるナノサイズ超伝導系の研究(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
- 25pWB-4 極低温超高真空STMを用いたPb/Si(111)における超伝導ギャップとその膜厚依存測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 長辺振動水晶振動子を用いた周波数変調原子間力顕微鏡による原子分解能観察(最新の超音波計測技術)
- 24aTH-6 超伝導ナノアイランド構造の磁場中走査トンネル分光測定(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析イメージング
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究 [II]
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究[I]
- 1a-J-12 STMによる表面ステップ上でのフラーレン分子のクラスター形成過程の研究
- 28a-J-8 STMによる銅表面上でのフラーレン分子間の相互作用に関する研究
- 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
- 29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
- 27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 表面を探る : 2. 表面顕微鏡: 吸着表面原子のSTM: Si表面のアルカリ金属 ( 表面)
- 24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 5a-PS-19 FI-STMによるSi(111)のハロゲン吸着
- 27aWP-13 希釈冷凍機冷却による超低温STMの開発(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 20aRH-12 Cu(111)表面上での量子蜃気楼の理論的解析
- 29pYH-14 ボロンドープ単層ナノチューブ薄膜の磁化特性 : マイスナー効果と圧力(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aTD-5 Pb/Si(111)系における渦糸状態の低温STM観察とサイズ依存性(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 31p-PSB-11 STM探針-試料間の幾何学的静電容量(III)
- 28a-S-5 STM探針-試料間の幾何学的静電容量
- 走査トンネル顕微鏡によるSiC(000-1)表面構造の研究
- 6a-T-2 FI-STMによるSi表面の水素吸着の研究
- 4p-Y-7 FI-STMによるSi(100)表面の研究
- 3a-B4-11 液体中観察用STMの開発
- 走査トンネル顕微鏡による局所仕事関数の測定
- 6a-T-1 多目的FI-STM(電界イオン-走査トンネル複合顕微鏡)の開発
- 走査トンネル顕微鏡による局所仕事関数の研究
- Scanning Tunneling Microscopy of N_2H_4 on Silicon Surfaces
- 1p-TA-10 FI-STMによるSi(001)上のアルカリ吸着
- 19pYP-5 非接触AFMによる表面原子・電荷移動の観察(領域9シンポジウム : 原子間力顕微鏡法の新展開,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13pXG-6 放射光励起 STM の開発(主題 : 表面局所光学現象の観察と応用, 領域 9)
- 高分解能AFM観察に及ぼす短距離力の寄与
- 29aZF-4 Si(111)-(7×7) 表面の高分解能 AFM 観察
- 走査トンネル顕微鏡による表面電子の観察
- 金研国際ワークショップ「界面におけるナノスケールの構造とその特性」
- 電子定在波観察による表面物性解析
- 表面電気伝導
- SMTを用いた点接触法による表面電気伝導の測定
- バリスティック電子放射顕微鏡による界面の微視的研究
- STMによる人工量子構造と量子化学計測
- 3p-Q-1 走査トンネル顕微鏡によるナノスケールの表面構造・電子構造に関する研究
- 28p-WC-1 ナノサイズ点接触法による半導体表面準位を介した電気伝導度測定の可能性
- STM/STSによる表面電子定在波の直接観察
- 14p-DH-10 走査トンネル分光による表面ステップ近傍での定在波の観察II
- 13a-PS-26 走査トンネル顕微鏡によるAu(111)表面の再構成構造の微細加工
- 30p-H-7
- 6.1 STMによる界面の研究
- FIM組み込み型高分解能STMの現状と展望 (STMはどこまで進化するか)
- 電界イオン顕微鏡とアトム・プロ-ブ
- 30a-D-1 SiC-メタル界面の微視的研究
- 27pPSA-6 走査トンネル顕微鏡を用いたPbナノアイランド構造における超伝導状態の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-11 Si 2p内殻準位の光電子の非弾性平均自由行程(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-4 走査トンネル顕微鏡によるナノサイズ超伝導体上の量子化磁束観察(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 電子定在波とフリーデル振動
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡による高分解能元素分析
- 19aFN-2 Ag(111)上に成長させた有機分子ピセン薄膜の低温STM観察(19aFN 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 20pPSA-63 スピン偏極走査トンネル顕微鏡によるAg(111)表面上のコバルト薄膜の観察(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 27p-GA-8 Al-Li合金のアトム・プローブ分析における定量性(表面・界面)
- 6pPSB-57 Si表面のFeシリサイドの形成(表面界面結晶成長,領域9)
- 31p-F4-14 FIM STMによる半導体表面の研究(表面・界面)
- 6aSM-2 走査トンネル顕微鏡による磁場中での表面電子状態の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 29p-TC-15 高分子表面の微視的観察(29pTC 表面・界面)
- 1p-BG-4 SiC-金属界面の研究-パルスレーザー・アトムプローブ法による-(1p BG 表面・界面)
- 24aYF-5 走査トンネル顕微鏡による磁場中での表面電子状態の観察(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 29p-TC-11 FI-STMによる、半導体表面の観察(29pTC 表面・界面)
- 24aYF-4 STMで観る金属表面上での近藤効果(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27pPSA-11 スピン偏極STMを用いたAg(111)上における酸素分子の磁性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aAP-1 走査トンネル顕微鏡を用いたAg(111)表面上における酸素分子(27aAP 表面ナノ構造・クラスタ・ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pCJ-14 重い電子系超伝導体CeCoIn_5の極低温・強磁場におけるSTM/STS(28pCJ Ce系化合物1(近藤半導体・多極子など),領域8(強相関係))