神谷 格 | 東大物性研
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概要
関連著者
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神谷 格
東大物性研
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桜井 利夫
東大物性研
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橋詰 富博
東大物性研
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長谷川 幸雄
東大物性研
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橋詰 富博
東大物性研院
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佐野 直幸
東大物性研
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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栃原 浩
北大触媒研
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栃原 浩
東大物性研
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住田 勲勇
松下技研株式会社
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田中 英行
松下技研
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酒井 明
東大物性研
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田中 英行
松下技研株式会社
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兵藤 申一
明大理工
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横山 和夫
松下電器中研
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住田 勲勇
松下技研 (株)
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西 敏夫
東大工
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神保 明子
東大物性研
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横山 和夫
松下中研
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高尾 正敏
松下電器中研
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兵藤 申一
明大物理
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Buck T.M.
AT&T ベル研
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Buck T.m.
At&t ベル研
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井手 隆
日電基礎研
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小林 明子
東大物性研
著作論文
- 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
- 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
- 6a-T-2 FI-STMによるSi表面の水素吸着の研究
- 4p-Y-7 FI-STMによるSi(100)表面の研究
- 3a-B4-11 液体中観察用STMの開発
- 6a-T-1 多目的FI-STM(電界イオン-走査トンネル複合顕微鏡)の開発
- 低エネルギ-イオン散乱分光法 (マイクロキャラクタリゼ-ション-2-(技術ノ-ト))
- 29a-P-1 Cu-Ni合金におけるNiの選択的スパッタリング
- 2a-E-4 atom-probeによるCu-Ni合金分析(II) : 表面偏析に対する雰囲気の影響
- 31p-F4-14 FIM STMによる半導体表面の研究(表面・界面)
- 29p-TC-15 高分子表面の微視的観察(29pTC 表面・界面)
- 29p-TC-11 FI-STMによる、半導体表面の観察(29pTC 表面・界面)
- 1p-BG-3 Cu-Ni合金に於る表面偏析現象への化学吸着の影響(1p BG 表面・界面)
- 31p-BG-9 He原子線回折装置の開発(31p BG 表面・界面)