住田 勲勇 | 松下技研株式会社
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
住田 勲勇
松下技研株式会社
-
田中 英行
松下技研
-
田中 英行
松下技研株式会社
-
住田 勲勇
松下技研 (株)
-
安江 常夫
大阪電通大
-
越川 孝範
大阪電通大
-
長谷川 幸雄
東大物性研
-
桜井 利夫
東大物性研
-
橋詰 富博
東大物性研院
-
神谷 格
東大物性研
-
柴田 元司
松下技研株式会社
-
中島 眞人
松下技研株式会社
-
柴田 元司
Rwcp適応デバイス
-
柴田 元司
Jrcat-atp
-
柴田 元司
東北大工
-
兵藤 申一
明大理工
-
横山 和夫
松下電器中研
-
高島 弘樹
大阪電気通信大学工学部応用電子工学科,エレクトロニクス基礎研究所
-
高島 弘樹
大阪電気通信大学工学部応用電子工学科 エレクトロニクス基礎研究所
-
橋詰 富博
東大物性研
-
栃原 浩
北大触媒セ
-
越川 孝範
大阪電気通信大学
-
安江 常夫
大阪電気通信大学
-
桑田 純
松下技研株式会社
-
島田 瓦
北大低温研
-
伊藤 信
松下技研
-
宇田川 昌治
松下技研
-
宇田川 昌治
松下技研(株)新素材研究所
-
佐野 直幸
東大物性研
-
渡辺 由雄
松下技研
-
住田 勳勇
松下技研
-
横山 和夫
松下中研
-
高尾 正敏
松下電器中研
-
兵藤 申一
明大物理
-
高島 弘樹
大阪電通大
-
越川 隆範
大阪電通大
-
越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
著作論文
- 微傾斜Si(111)上での金の成長過程
- 3p-L-9 微傾斜Si(111)上への金の吸着初期過程
- 30a-ZF-3 Si(111)7x7表面におけるステップの再構造化とステップ成長
- 6a-T-2 FI-STMによるSi表面の水素吸着の研究
- 6a-T-1 多目的FI-STM(電界イオン-走査トンネル複合顕微鏡)の開発
- 走査トンネル顕微鏡による高温Si(111)上のCuの成長過程
- 29a-WB-2 Cu/Si(111)"5x5"成長過程のSTMによる観察
- 30a-H-9 高温で成長させたCu/Si(111)のSTMによる観察
- 25p-Y-9 Cu/Si(111)の成長過程のSTMによる観察
- 29p-BPS-34 微傾斜Si(111)における(331)6x3ファセット
- 原子を見る,次世代ULSIを支える新しいSTMと半導体応用--原子オ-ダ-の観察・計測・制御のインパクトとは?