住田 勲勇 | 松下技研 (株)

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• 住田 勲勇

  松下技研 (株)

• 住田 勲勇

  松下技研株式会社

• 田中 英行

  松下技研

• 田中 英行

  松下技研株式会社

• 安江 常夫

  大阪電通大

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 長谷川 幸雄

  東大物性研

• 桜井 利夫

  東大物性研

• 橋詰 富博

  東大物性研院

• 神谷 格

  東大物性研

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株)

• 兵藤 申一

  明大理工

• 横山 和夫

  松下電器中研

• 丹羽 正昭

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

• 橋詰 富博

  東大物性研

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 柴田 元司

  松下技研株式会社

• 中島 眞人

  松下技研株式会社

• 柴田 元司

  Rwcp適応デバイス

• 柴田 元司

  Jrcat-atp

• 柴田 元司

  東北大工

• 島田 瓦

  北大低温研

• 伊藤 信

  松下技研

• 宇田川 昌治

  松下技研

• 宇田川 昌治

  松下技研(株)新素材研究所

• 佐野 直幸

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• 渡辺 由雄

  松下技研

• 住田 勳勇

  松下技研

• 横山 和夫

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  松下電器中研

• 兵藤 申一

  明大物理

• 宇田川 昌治

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

• 岩崎 裕

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

• 田中 英行

  松下技研 (株)

• 高島 弘樹

  大阪電気通信大学工学部応用電子工学科,エレクトロニクス基礎研究所

• 高島 弘樹

  大阪電通大

• 越川 隆範

  大阪電通大

• 高島 弘樹

  大阪電気通信大学工学部応用電子工学科 エレクトロニクス基礎研究所

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著作論文

• 3p-L-9 微傾斜Si(111)上への金の吸着初期過程
• 30a-ZF-3 Si(111)7x7表面におけるステップの再構造化とステップ成長
• 6a-T-2 FI-STMによるSi表面の水素吸着の研究
• 6a-T-1 多目的FI-STM(電界イオン-走査トンネル複合顕微鏡)の開発
• 3. 材料科学への応用 : 3.7 Si表面の初期酸化
• UHV-STMによるSiO2/Si界面の研究
• 29a-WB-2 Cu/Si(111)"5x5"成長過程のSTMによる観察
• 30a-H-9 高温で成長させたCu/Si(111)のSTMによる観察
• 25p-Y-9 Cu/Si(111)の成長過程のSTMによる観察
• 29p-BPS-34 微傾斜Si(111)における(331)6x3ファセット

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