丹羽 正昭 | 松下電器産業 (株) 半導体研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
丹羽 正昭
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
丹羽 正昭
松下電器産業(株)
-
丹羽 正昭
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
-
丹羽 正昭
松下電器産業(株) 中央研究所
-
山本 和彦
松下電器産業(株)
-
住田 勲勇
松下技研 (株)
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
野中 源一郎
九州大学薬学部
-
丹羽 正昭
松下電器
-
林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
-
原田 佳尚
松下電器産業(株)
-
林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
-
久保田 正文
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
-
宇田川 昌治
松下技研(株)新素材研究所
-
宮 博信
(株)日立国際電気
-
三橋 理一郎
松下電器産業(株)
-
久保田 正文
松下電器産業(株)
-
堀井 貞義
(株)日立国際電気
-
浅井 優幸
(株)日立国際電気
-
野村 久志
(株)日立国際電気
-
北山 加奈子
(株)日立国際電気
-
井戸田 健
松下電器産業(株) 中央研究所
-
宇田川 昌治
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
-
岩崎 裕
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
-
田中 英行
松下技研 (株)
-
林 重徳
松下電器産業(株)
著作論文
- Si (001) 表面の酸化初期過程の走査型トンネル顕微鏡観察
- 超高真空加熱による原子的に平滑なシリコン-酸化膜界面形成
- 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
- MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
- 赤外線加熱を用いた試料加熱法
- シリコン/酸化膜界面の原子スケール制御
- 高誘電率ゲート絶縁膜開発の現状と課題
- 3. 材料科学への応用 : 3.7 Si表面の初期酸化
- UHV-STMによるSiO2/Si界面の研究