丹羽 正昭 | 松下電器産業(株) 中央研究所

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• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 丹羽 正昭

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• 山本 和彦

  松下電器産業(株)

• 江利口 浩二

  松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター

• 江利口 浩二

  松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

• 林 重徳

  松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター

• 丹羽 正昭

  松下電子工業(株) プロセス開発センター

• 原田 佳尚

  松下電器産業(株)

• 林 重徳

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 山田 隆順

  松下電子工業株式会社半導体社プロセス開発センター

• 久保田 正文

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 宮 博信

  (株)日立国際電気

• 三橋 理一郎

  松下電器産業(株)

• 久保田 正文

  松下電器産業(株)

• 堀井 貞義

  (株)日立国際電気

• 浅井 優幸

  (株)日立国際電気

• 野村 久志

  (株)日立国際電気

• 北山 加奈子

  (株)日立国際電気

• 橋本 由紀子

  松下電子工業(株)

• 井戸田 健

  松下電器産業(株) 中央研究所

• 山田 隆順

  松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

• 林 重徳

  松下電器産業(株)

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著作論文

• 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
• MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
• プラズマチャージングダメージによるゲート酸化膜信頼性劣化
• 赤外線加熱を用いた試料加熱法
• シリコン/酸化膜界面の原子スケール制御

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