反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-06-06
著者
-
丹羽 正昭
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
丹羽 正昭
松下電器産業(株)
-
丹羽 正昭
松下電器産業(株) 中央研究所
-
林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
-
原田 佳尚
松下電器産業(株)
-
林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
-
久保田 正文
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
-
山本 和彦
松下電器産業(株)
-
三橋 理一郎
松下電器産業(株)
-
久保田 正文
松下電器産業(株)
-
丹羽 正昭
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
-
林 重徳
松下電器産業(株)
関連論文
- 28a-K-7 SPFM溶液の酸化膜エッチング特性における添加弗素化合物依存性
- 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
- 誘導結合型プラズマを用いた酸化膜エッチング
- Si (001) 表面の酸化初期過程の走査型トンネル顕微鏡観察
- 超高真空加熱による原子的に平滑なシリコン-酸化膜界面形成
- Si表面の初期酸化 (走査トンネル顕微鏡(STM)) -- (材料科学への応用)
- 3-11 非晶質シリコン光導電膜積層型固体撮像素子の耐圧向上
- 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
- シミュレーションを用いたポリシリコンゲートエッチングにおける形状と寸法の制御解析
- シミュレーションを用いたポリシリコンゲート・エッチングのプロファイル制御
- MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
- プラズマチャージングダメージによるゲート酸化膜信頼性劣化
- 赤外線加熱を用いた試料加熱法
- シリコン/酸化膜界面の原子スケール制御
- 新しい表面反応モデルを取り入れたドライエッチングシミュレーション
- 遠紫外光フラッシュ法による化学増幅型レジストの耐熱性向上
- ドライエッチングのモデリングとシミュレーション
- 高誘電率ゲート絶縁膜開発の現状と課題
- 新複合ハードマスク法による低誘電率有機膜/Cuデュアルダマシン多層配線の形成
- 誘導結合型プラズマを用いた高選択酸化膜エッチング
- 3. 材料科学への応用 : 3.7 Si表面の初期酸化
- UHV-STMによるSiO2/Si界面の研究