誘導結合型プラズマを用いた酸化膜エッチング

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概要

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• マルチスパイラルコイル(MSC)を用いた誘導結合プラズマ(ICP)による酸化膜エッチングについて, レーザ誘起蛍光法(LIF)によるCF_x(x=1, 2)ラジカル計測結果をもとに検討した.まず, CF_4, CHF_3, C_4F_8ガス系に関して, MSC-ICPにおけるラジカルの基本的振舞いと酸化膜エッチング特性の相関を検討した.更に, 高選択比を達成する上で有力視されている二つの方法, すなわち, チャンバ壁加熱とパルス変調について, CHF_3/C_4F_8混合系を用いて検討した.チャンバ壁加熱においては, 100℃程度にチャンバ壁を加熱することによりラジカル密度の増大を伴った選択比の増大が見られ, 更にパルス変調法を用いて, 変調周期を20μsまで引き下げることによりCF_2ラジカル密度の増大を伴った更なる選択比の増大が見られた.観測された高選択比化の機構を, これらチャンバ壁制御・パルス変調制御のラジカルの解離・消滅過程へ及ぼす影響から議論する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-03-25

著者

• 林 重徳

  松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター

• 林 重徳

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 小倉 基次

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 山中 通成

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 中川 秀夫

  超先端電子技術開発機構

• 久保田 正文

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 久保田 正文

  松下電子工業(株)

• 山中 通成

  松下電子工業(株)

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