林 重徳 | 松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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概要
関連著者
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林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
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林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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久保田 正文
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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山中 通成
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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久保田 正文
松下電子工業(株)
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山中 通成
松下電子工業(株)
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林 重徳
松下電器産業(株)
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丹羽 正昭
松下電器産業(株)半導体研究センター
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丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
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丹羽 正昭
松下電器産業(株)
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丹羽 正昭
松下電器産業(株) 中央研究所
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松尾 直人
山口大学工学部
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
山口大 工
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野崎 洋
山口大学大学院理工学研究科
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山尾 正之
山口大学大学院理工学研究科
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河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
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松尾 直人
山口大学大学院理工学研究科
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丹羽 正昭
山口大学大学院理工学研究科
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原田 佳尚
松下電器産業(株)
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河本 直哉
山口大 工
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小倉 基次
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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中川 秀夫
超先端電子技術開発機構
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河本 直哉
山口大学工学部
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松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
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山本 和彦
松下電器産業(株)
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三橋 理一郎
松下電器産業(株)
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久保田 正文
松下電器産業(株)
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丹羽 正昭
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
著作論文
- 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
- 誘導結合型プラズマを用いた酸化膜エッチング
- 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
- 誘導結合型プラズマを用いた高選択酸化膜エッチング