丹羽 正昭 | 半導体理工学研究センター

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概要

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• 半導体理工学研究センターの論文著者

関連著者

• 丹羽 正昭

  半導体理工学研究センター

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 組頭 広志

  Jst-crest:東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 臼田 宏治

  半導体MIRAI-ASET

• 豊田 智史

  東京大学大学院工学系研究科

• 組頭 広志

  東京大学大学院工学系研究科

• 岡林 潤

  東京大学大学院工学系研究科

• 臼田 宏治

  半導体理工学研究センター

• 岡林 潤

  東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻

• 岡林 潤

  東大院工

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 平下 紀夫

  半導体MIRAI-ASET

• 松尾 直人

  山口大学工学部

• 松尾 直人

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 松尾 直人

  山口大 工

• 野崎 洋

  山口大学大学院理工学研究科

• 林 重徳

  松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター

• 山尾 正之

  山口大学大学院理工学研究科

• 河本 直哉

  山口大学大学院理工学研究科

• 松尾 直人

  山口大学大学院理工学研究科

• 丹羽 正昭

  山口大学大学院理工学研究科

• 河本 直哉

  山口大 工

• 林 重徳

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 劉 国林

  半導体理工学研究センター

• 小野 寛太

  KEK物質構造科学研究所

• 河本 直哉

  山口大学工学部

• 奥村 務

  東京大学大学院工学系研究科

• 平下 紀夫

  半導体理工学研究センター

• 松尾 直人

  兵庫県立大学工学研究科

• 林 重徳

  松下電器産業(株)

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著作論文

• 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
• 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

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