豊田 智史 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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岡林 潤
東大院工
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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小野 寛太
総研大・高エ研
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尾嶋 正治
東大院工
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尾嶋 正治
東大工
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組頭 広志
Jst-crest:東大院工
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
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岡林 潤
東京大学大学院工学系研究科
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臼田 宏治
半導体理工学研究センター
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小野 寛太
高エ研
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岡林 潤
東大工
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豊田 智史
東大工
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劉 紫園
半導体理工学研究センター
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劉 国林
半導体理工学研究センター
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坂本 一之
千葉大院融合
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小野 寛太
高エネ研PF
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小野 寛太
KEK
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坂本 一之
東北大院理
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鈴木 俊宏
東北大院理
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豊田 智史
東大院工
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坂木 一之
東北大院理
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組頭 広志
東大工
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
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池田 和人
半導体理工学研究センター
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長谷川 修司
東大理
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藤森 淳
東大新領域
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小林 大介
東大工
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尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
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小野 寛太
東大工
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小林 敬介
東北大院理
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近藤 大雄
東北大院理
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小林 大介
東大院工
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松田 巌
東大理
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組頭 広志
東大院工
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小野 寛太
高工研
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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金井 謙
東大工
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沖野 泰之
東大理
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劉 燦華
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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劉 燦華
東大理
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鎌田 洋之
東京大学大学院工学系研究科
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岩本 邦彦
半導体理工学研究センター
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助川 孝江
半導体理工学研究センター
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金井 謙
高工研
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久保 光太郎
東大工
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高橋 晴彦
東大工
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尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
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高橋 晴彦
東京大学大学院工学系研究科
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小野 寛太
KEK物質構造科学研究所
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豊田 智史
東京大学
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尾嶋 正治
東大 大学院
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奥村 務
東京大学大学院工学系研究科
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平下 紀夫
半導体理工学研究センター
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尾嶋 正治
東大 大学院工学系研究科
-
小野 寛太
高エネ研
著作論文
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
- 放射光光電子分光を用いた金属/高誘電率酸化物ゲートスタック構造の深さ方向解析
- 21pXH-8 In-situ光電子分光による膜厚に依存したMnAsの電子状態解析(遍歴磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 高輝度放射光を用いた次世代 high-k ゲート絶縁膜の電子状態解析
- 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 21pTH-4 Ga_Mn_xAs の in situ 光電子分光
- 高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 放射光光電子分光によるゲート絶縁膜/シリコンの電子状態解析