長谷川 修司 | 東大理
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概要
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岡林 孝弘
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エポジン自己血輸血研究会
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永田 見生
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永田 松夫
千葉県がんセンター消化器外科
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堂地 勉
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株式会社村田製作所
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株式会社村田製作所
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福岡大学整形外科
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三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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日本医大
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九州大学形態機能病理
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高エ研
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高エネ研
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NHK営業局
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近畿大学医学部奈良病院小児外科
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小角 卓也
近畿大学医学部奈良病院小児外科
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笠貫 宏
東京女子医大
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神戸市水道局技術部計画課
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牛尾 亮太
神戸市水道局技術部計画課
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三重大学消化管・小児外科
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小池 勇樹
三重大学消化管・小児外科
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三重大学消化管・小児外科
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三重大学消化管・小児外科
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畑中 直樹
長崎大学生産科学研究科
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科学技術振興機構(jst)社会技術研究開発センター(ristex)
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京都大学大学院農学研究科応用生命科学専攻
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古城 幸子
新見公立短期大学看護学科
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上山 和子
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宇野 文夫
新見公立短期大学
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神原 光
新見公立短期大学
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岸本 努
新見公立短期大学
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鹿島 隆
新見公立短期大学
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関西福祉科学大学
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東京大学大学院農学生命科学研究科
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李 銀〓
筑波大学大学院
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小林 皇
札幌医科大学医学部泌尿器科学教室
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加藤 隆一
札幌医科大学医学部泌尿器科学教室
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大谷 義夫
東京医科歯科大学医学部附属病院呼吸器内科
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小島 勝雄
東京医科歯科大学医学部附属病院心臓肺外科
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工藤 諭
東大新領域
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橋本 信
東大理
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吉田 鉄平
東大理
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藤森 淳
東大理
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生天目 博文
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大院理
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内田 慎一
東大理
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五藤 周
埼玉県立小児医療センター外科
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内田 広夫
埼玉県立小児医療センター外科
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川嶋 寛
埼玉県立小児医療センター外科
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岩中 督
東京大学小児外科
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日高 良一
山口大学大学院連合獣医学研究科
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長井 千春
愛知県立芸術大学
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柳垣 孝広
市立八幡浜総合病院泌尿器科
-
武田 肇
市立八幡浜総合病院泌尿器科
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武内 政幸
大東文化大学
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布野 修司
滋賀県立大学
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小野 英哲
東北工業大学建築学科
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坪内 和女
福岡大学医学部泌尿器科学教室
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吉田 一博
白十字病院泌尿器科
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小倉 学
三菱電機(株)人材開発センター
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吉川 達也
三菱電機(株)稲沢製作所
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池田 生馬
九州大学大学院工学府知能機械システム専攻
著作論文
- 20pGQ-3 シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の電子構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-2 BiSb合金超薄膜表面状態の光電子分光スペクトルの偏光依存性(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pRC-15 第41回国際物理オリンピック(IPhO)日本代表訓練:実験研修(21pRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aVE-11 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告IV : 全体報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 28aVE-7 第40回国際物理オリンピック(メキシコ大会)報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pGQ-10 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aVE-8 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告 : I. 第1チャレンジ(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pRA-2 第4回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2008報告II : 実験問題(20pRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 19pXJ-3 物理チャレンジ・オリンピック日本委員会報告 : II.国際物理オリンピック2007代表候補者教育訓練(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 19pXJ-4 物理チャレンジ・オリンピック日本委員会報告III : 国際物理オリンピック2007代表候補訓練冬合宿・春合宿(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 24aWA-1 国際物理オリンピック(IPhO)と物理チャレンジI : IPhO選手派遣に至るまで(24aWA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 22pXF-12 Pb吸着Ge(111)表面の相転移とその電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-11 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-6 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-14 低温における金蒸着シリコン表面の電気伝導度の比較(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-10 金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-21 Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-5 全Au/Si(111)表面超構造シリーズの電気伝導とその違い(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-4 Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYB-11 極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャルと電気伝導特性(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-11 Au吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-8 室温から極低温までのAu/Si(111)表面の表面電子輸送研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pXC-3 CoSi_2ナノワイヤの電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-9 Au/Si(111) 表面上のグラスークリスタル転移の表面電子輸送研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 27aWP-6 Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 27aWP-5 マイクロ4端子法によるSi(111)√×√-Ag表面電気伝導の温度依存性の研究(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 27aWP-4 In/Si(111)-4x1 ↔ 8x'2'表面相転移に対する不純物の影響(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 27aYG-12 キャリアドープしたモット絶縁体表面の電気伝導(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-9 表面状態電気伝導測定によるSn/Si(111)の基底状態の研究(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14aXG-4 室温∿極低温 STM/STS による Ge(111) 表面上 Pb, Sn 吸着系 √×√→3×3 相転移の電子状態研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 21aYD-6 Si(111)-4x1-In 系の低温相転移の STM 観察
- 31aZE-13 内殻光電子分光による Si(111)√x√-(Ag, Na) 表面の研究
- 31aZE-12 Si(111)-√x√(Ag+Na) の表面電子構造
- 19aRH-9 室温及び低温におけるα-(√x√)-Sn,Pb/Si(111)表面のSTM観察
- 23aYH-7 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYH-9 In/Si(111)-√×√表面超構造の金属伝導と絶縁体転移(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
- 31pZE-4 マイクロ 4 端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究
- 3p-J-4 Si(111)上のInの吸着構造と表面電気伝導
- 31p-PSB-55 Si(111)-√3×√3-Pb上にPbを蒸着した場合の表面構造と電気伝導
- 31a-J-5 電子線励起X線全反射角分光(RHEED-TRAXS)の理論、X線放出角依存性
- 30a-PS-22 低温に於けるAg/Si(111)-√×√-Agの電気伝導
- 29a-J-13 Si(111)表面の構造と光電気伝導
- 28p-PSB-10 Si(111)表面構造に依存した電気伝導の電界効果3
- 2p-PSA-49 Si(111)-√×√-(Au, Ag)からのAgの等温脱離過程
- 2p-PSA-30 Si(111)表面電気伝導に及ぼすAgとAuの蒸着速度の影響
- 2p-PSA-27 Si(111)上のAgのエピタクシャル成長
- 31a-WC-7 In/Si(111)√3x√3-Ga表面構造におけるUHV-SEMコントラストとX線強度の測定
- 31a-WC-6 Si(111)5x2-Auの表面電気伝導とバンドベンディング
- 28p-PSB-22 Si(111) 表面構造に依存した電気伝導の電界効果 2
- 28p-PSB-16 RHEED-TRAXS法によるSi(111)上での2種金属の加熱時における成長様式の観察
- 15a-DH-6 Si(111)√×√-GaにInを吸着させた表面のUHV-SEMによる観察
- 14p-DJ-11 低温のSi(111)表面構造上におけるエピタクシャル成長
- 14p-DJ-6 Si(111)表面構造に依存した電気伝導の電界効果
- 14p-DJ-5 Si(111)上の表面構造に依存した電気伝導とバンドベンデイング
- 13a-PS-11 Si(111)表面上のInのエピタクシャル成長と電気伝導
- 1a-H-2 Si(111)面上に吸着させたAg原子熱脱離過程のイオン励起 : TRAXS(total reflection angle x-ray spectroscopy)による測定
- 1a-H-1 清浄および金属吸着Si(111)表面構造の相転移
- 24aXB-6 PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√×√-Ag表面の電気伝導測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-4 Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-131 表面状態のホール抵抗測定(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-10 低温型四探針 STM による電気伝導測定(表面界面電子物性, 領域 9)
- 21aYD-7 STM/STS 測定による Si(111)√3x√3-Ag 表面ステップの研究
- 22pPSA-81 Mn吸着したSi(111)√×√-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定II(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-10 Pb超薄膜電気伝導度のbilayer振動 : バンド構造からの考察(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-75 極低温・強磁場印加型独立駆動マルチプローブシステムの開発(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-2 Pb超薄膜の電子輸送の振動現象(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-5 Si(111)4×1-In表面Ag(111)薄膜の量子井戸状態の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-1 Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-5 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究II(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-3 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aYG-13 希薄磁性表面での抵抗異常 : 近藤効果とRKKY相互作用の競合(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-6 金原子吸着Si(111)-√×√-Ag表面の電気伝導度(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pXF-11 吸着子によるSi(111)-√x√-Ag表面の金属バンドの分裂(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-22 Influence of local band bending on the shapes of Si2p core-level spectra of the Au adsorbed Si(111)-√×√-Ag surface
- 25pWB-9 Si(111)√3×√3-Ag表面の電気伝導II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXG-4 金原子吸着した Si(111)-√×√-Ag 表面についての研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 29aZF-8 Si(111)√x√-Ag 表面の作成法によるモルフォロジーの違い
- 19pPSB-41 Si(111)-√x√-(Ag+アルカリ金属)構造のSTM観察
- 30pTE-1 金属被覆CNT探針を用いたダマシン銅ワイヤのナノメーター電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定
- 18pTG-1 ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-38 アルカリ金属原子吸着Si(111)-√×√表面の構造と電気伝導
- 30pTE-2 金属被覆CNT探針を用いたFeSi2ナノワイヤの4探針電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-28 微傾斜した Si(111)-Au 表面の STM 観察
- 29pPSB-55 ナトリウムを吸着したSi(111)√×√-Sn表面の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-5 SMOKE装置の開発とGd/In/Si(111)金属表面の磁性研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-33 超高真空低温型表面磁気光学力 : 効果測定装置の開発(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-4 磁性体吸着した金属表面Si(111)-√×√の電気伝導(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30p-BPS-12 室温のSi(111)面上における金属のエピタクシャル成長
- 20pRA-4 第39回国際物理オリンピック(ベトナム大会)報告(20pRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 21pTV-6 第38回国際物理オリンピック(IPhO)報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 27pZA-15 若者にチャレンジの機会をIV : 国際物理オリンピック2006(シンガポール大会)に向けて(27pZA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 24pWB-10 Si(557)-Au上の1次元プラズモン : 交換・相関とスピン軌道相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23aQK-8 第6回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2010報告IV : 全体報告(23aQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 23aQK-5 第41回国際物理オリンピック・クロアチア大会報告(23aQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pY-6 Si(111)上のIn吸着構造の解析
- 27a-ZS-13 Si(111)-(Au, Ag)吸着層からの脱離過程
- 24aPS-14 Si(111)-√×√、3×3-Pb相転移のSTMによる研究
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 14aXG-11 一価金属吸着 Si(111) 表面上 √×√ 超構造のフェルミ円と表面電気伝導の研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 4a-RJ-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析
- 2a-RJ-12 RHEEDの励起X線分光II
- 14p-T-6 RHEED-SSD法による螢光X線分光
- 24aWA-2 国際物理オリンピック(IPhO)と物理チャレンジII : IPhO2006日本選手の活躍(24aWA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 28aYQ-11 マイクロ4端子法による電気伝導の測定
- 24aPS-18 Si(111)-√×√-Ag表面の電子状態
- 26aPS-50 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導
- 26aPS-24 インジウムが吸着したSi(111)表面での低温相転移
- SPA-LEEDによるSi(111)-√3-Auの秩序-無秩序相転移の研究
- 24p-R-9 RHEEDによるSi(111)-Cu表面構造の解析
- 27pZA-14 若者にチャレンジの機会を : III.国際物理オリンピック2005(スペイン大会)報告(27pZA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 29a-PS-21 Si(111)-5×2-Au構造のRHEED-STMによる研究
- 低温に於けるSi(111)-√x√-Ag上のAg蒸着過程のRHEED/STMの観察
- Au吸着Si(111)表面のドメイン構造
- 3p-K-10 Au吸着Si(111)表面の高温STM観察II
- 31a-PS-3 Pb吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導測定
- 21pWH-12 In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pPSB-69 UHV-SEM を用いた Vicinal Si(001) 表面エレクトロマイグレーションのその場観察
- 30p-Q-1 8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察
- 28p-Q-14 Si(111)-√×√-Ag表面の低温STM観察
- 25a-YM-5 Si(111)-√×√-Ag表面上の電子定在波
- 27a-ZS-9 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111)上のAu, Agの深さ分布の測定
- Si(111)表面上のAgの吸着・脱離過程のその場SEM-SREM観察
- 3p-J-3 核生成による表面電気伝導変化
- 30a-PS-20 RHEEDによるSi(111)-√×√-Au表面の秩序-無秩序相転移の研究
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移
- 25a-R-6 Si(100)上のInSbの脱離過程
- 2P-E-11 Si(100)上のInSbのエビタクシャル成長の初期過程
- 29p-S-1 金属6硼化物表面の格子緩和と格子振動
- 28aYQ-10 独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定
- 24pPSA-52 Epitaxial Growth of Ag on Si(111)-4×1-In Surface
- 22aWA-13 表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果
- 24pPSA-13 In/Si(111)金属表面超構造へのGd吸着(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-6 Pb吸着Ag超薄膜の量子井戸状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aYH-10 Si(111)7×7表面上Na吸着に伴う金属-絶縁体転移とその電気伝導変化(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27a-ZS-8 Si(111)-Bi, In吸着構造のUHV-SEM観察
- 31p-YF-4 Si(111)-n×1-Ca表面構造のRHEED-STM観察
- 31p-YF-3 Si(111)基板上のCa及びSrの吸着構造と相転移
- 25p-Y-4 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111)上の金属の深さ分布の測定
- 1p-YE-13 Si(111)表面上のC_分子層の構造と電気伝導
- 31a-PS-35 シリコン表面のアルカリ吸着による構造と電気伝導
- 31a-PS-9 UHV-SEM-SREM-RHEED-STMによるSi(111)-(Ag+Au) 二元表面合金相の形成過程の観察
- 8a-H-1 Si(111)-√×√-Ag表面上のアルカリ吸着による構造と電気伝導
- 7a-PS-21 UHV-SEM/SREMによるSi(111)-√×√-(Ag+Au)の形成過程の観察
- 25pW-15 表面電子バンド中に局在した(2次元?)プラズモン
- 8a-H-2 Pb吸着Si(111)表面における新構造と電気伝導
- 29p-F-7 (AU, CU)/Si(111)-√×√-Ag表面における構造安定性と電気伝導
- 29a-PS-15 Si(111)-(√×√)R30°-Auの構造相転移:分域境界が担う相転移
- 20aPS-13 Si(111) 表面上 Ag 吸着層のフェルミ面マッピング
- 25p-Y-3 RHEED-TRAXS法によるSi(111)上でのAgの脱離初期過程の解析
- 27a-ZD-9 電子回折X線分光によるSi(100)表面におけるGe,Snのドープ過程の研究
- 2p-E-12 Si(100)-Ge表面上のSiの成長中におけるRHEEDの強度振動と元素分析
- 25pW-4 μ-4probe内蔵UHV-SEM-SREMによる表面電気伝導のその場観察
- 24aPS-12 独立駆動型4端子STM装置の開発
- 23pW-11 独立駆動型4端子STMによる表面電気伝導の測定
- 25aEB-10 2011年第42回国際物理五輪(IPhO)日本代表訓練 : 実験研修(25aEB 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 25a-Y-13 Si(111)-金属 (Ag, In, Pb)吸着表面構造上の水素原子吸着過程におけるRHEED強度の変化
- 27p-ZF-12 RHEEDによるAg, In, Pb/Si(111)構造上のHの吸着の研究
- 26aTH-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-9 擬1次元金属表面Si(110)-2×5-AuのSTM観察及び電気伝導測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aT-1 Si(111)表面上の単結晶Bi超薄膜の成長メカニズム
- 23aT-3 SPA-LEEDによるIn-4×1,8×2/Si(111)相転移の温度依存性の測定
- 29a-PS-15 Si(111)表面上のCa吸着・脱離過程のSTM観察
- 28p-YM-5 2次元角度走査型HREELS装置-ELS-LEED装置-の製作
- 27a-ZD-8 入射角依存RHEED-TRAXS装置の改良と精密測定
- 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-7 ビスマス超薄膜の表面状態における電流誘起スピン偏極の測定(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-5 集束イオンビーム複合型低温4探針STM装置の開発(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-7 ビスマス超薄膜の表面状態における電流誘起スピン偏極の測定(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-4 三次元トポロジカル絶縁体上への二次元量子スピンホール相単一バイレイヤーBiの成長(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-4 Si(111)-4×1-In表面の異方的表面電気伝導度の温度依存性(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-3 擬1次元金属表面Si(110)-2×5-AuのSTM観察及び電気伝導測定(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-2 高磁場下サブケルビン・マイクロ4端子プローブ装置の開発(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRF-1 第7回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2011 : 全体報告(24aRF 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- In/Si(111)-√3×√3-Gaの表面構造と電気特性
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-2 Pbドープによるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3超薄膜の電子状態制御と電気伝導度(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCK-10 In,Pbモノレイヤー超伝導体の超伝導転移および臨界磁場測定(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aFE-9 Si(110)2×5-Auにおける非整数次元伝導の測定(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-4 集束イオンビームによるin situ微細加工を施した表面の電気伝導特性(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-11 ビスマス超薄膜の超高真空・低温・強磁場中における電気伝導測定(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))