22pRC-2 高磁場下サブケルビン・マイクロ4端子プローブ装置の開発(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 長谷川 修司

  東大理

• 平原 徹

  東大理

• 山田 学

  東京大学

• 保原 麗

  東大理

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 保原 麗

  東京大学大学院理学系研究科物理学教室

• 山田 学

  東海大理

• 山田 学

  東理大理

• 山田 学

  東大理

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