平原 徹 | 東大理
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概要
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三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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東邦大学大森病院呼吸器内科
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高エ研
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亀卦川 卓美
高エネ研
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NHK営業局
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廣瀬 通孝
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金沢工業大学
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九州大学病院MEセンター
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真鍋 達也
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栗田 治
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林田 真
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松浦 俊治
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佐伯 勇
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内山 秀昭
九州大学消化器・総合外科
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副島 雄二
九州大学消化器・総合外科
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武冨 紹信
九州大学消化器・総合外科
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調 憲
九州大学消化器・総合外科
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前原 喜彦
九州大学消化器・総合外科
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原田 良夫
トーカロ
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熊谷 健一
北大院理
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宍戸 寛明
京大院理
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松田 祐司
京大院理
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金 志香
千葉大学大学院
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桐谷 佳恵
千葉大学
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玉垣 庸一
千葉大学
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中村 良介
産業総合研究所
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山内 勝治
近畿大学医学部奈良病院小児外科
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小角 卓也
近畿大学医学部奈良病院小児外科
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内海 俊樹
鹿児島大・理・生物
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鹿児島大・理・生物
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笠貫 宏
東京女子医大
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神戸市水道局技術部計画課
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神戸市水道局技術部計画課
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三重大学消化管・小児外科
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小池 勇樹
三重大学消化管・小児外科
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松下 航平
三重大学消化管・小児外科
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三重大学消化管・小児外科
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三重大学消化管・小児外科
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荒木 俊光
三重大学消化管・小児外科
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三重大学消化管・小児外科
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楠 正人
三重大学消化管・小児外科
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中村 修
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畑中 直樹
長崎大学生産科学研究科
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科学技術振興機構(jst)社会技術研究開発センター(ristex)
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尚絅学院大学
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黒田 浩一
京都大学大学院農学研究科応用生命科学専攻
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古城 幸子
新見公立短期大学看護学科
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上山 和子
新見公立短期大学
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宇野 文夫
新見公立短期大学
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神原 光
新見公立短期大学
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岸本 努
新見公立短期大学
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鹿島 隆
新見公立短期大学
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田中 弘之
昭和大学藤が丘病院心臓血管外科
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的場 輝佳
関西福祉科学大学
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鷲谷 いづみ
東京大学大学院農学生命科学研究科
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李 銀〓
筑波大学大学院
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小林 皇
札幌医科大学医学部泌尿器科学教室
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加藤 隆一
札幌医科大学医学部泌尿器科学教室
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大谷 義夫
東京医科歯科大学医学部附属病院呼吸器内科
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小島 勝雄
東京医科歯科大学医学部附属病院心臓肺外科
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石川 浩一
近中四農研
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工藤 諭
東大新領域
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橋本 信
東大理
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吉田 鉄平
東大理
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藤森 淳
東大理
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生天目 博文
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大院理
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内田 慎一
東大理
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五藤 周
埼玉県立小児医療センター外科
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内田 広夫
埼玉県立小児医療センター外科
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川嶋 寛
埼玉県立小児医療センター外科
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岩中 督
東京大学小児外科
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日高 良一
山口大学大学院連合獣医学研究科
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長井 千春
愛知県立芸術大学
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柳垣 孝広
市立八幡浜総合病院泌尿器科
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武田 肇
市立八幡浜総合病院泌尿器科
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武内 政幸
大東文化大学
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布野 修司
滋賀県立大学
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小野 英哲
東北工業大学建築学科
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坪内 和女
福岡大学医学部泌尿器科学教室
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吉田 一博
白十字病院泌尿器科
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小倉 学
三菱電機(株)人材開発センター
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吉川 達也
三菱電機(株)稲沢製作所
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池田 生馬
九州大学大学院工学府知能機械システム専攻
著作論文
- 20pGQ-3 シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の電子構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-2 BiSb合金超薄膜表面状態の光電子分光スペクトルの偏光依存性(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pGQ-10 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- トポロジカル絶縁体の物理
- 27aYG-11 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ビスマス量子薄膜における表面状態による電気伝導
- 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-6 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-21 Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYB-11 極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャルと電気伝導特性(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-12 キャリアドープしたモット絶縁体表面の電気伝導(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-9 表面状態電気伝導測定によるSn/Si(111)の基底状態の研究(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 結晶表面上単原子ステップの電気抵抗
- 23aYH-7 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXB-6 PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√×√-Ag表面の電気伝導測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-131 表面状態のホール抵抗測定(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 21aYD-7 STM/STS 測定による Si(111)√3x√3-Ag 表面ステップの研究
- 22pPSA-81 Mn吸着したSi(111)√×√-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定II(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-10 Pb超薄膜電気伝導度のbilayer振動 : バンド構造からの考察(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-75 極低温・強磁場印加型独立駆動マルチプローブシステムの開発(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-2 Pb超薄膜の電子輸送の振動現象(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-5 Si(111)4×1-In表面Ag(111)薄膜の量子井戸状態の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-1 Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-5 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究II(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-3 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aYG-13 希薄磁性表面での抵抗異常 : 近藤効果とRKKY相互作用の競合(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pXF-11 吸着子によるSi(111)-√x√-Ag表面の金属バンドの分裂(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-9 Si(111)√3×√3-Ag表面の電気伝導II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30pTE-1 金属被覆CNT探針を用いたダマシン銅ワイヤのナノメーター電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pTG-1 ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pTE-2 金属被覆CNT探針を用いたFeSi2ナノワイヤの4探針電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-55 ナトリウムを吸着したSi(111)√×√-Sn表面の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-5 SMOKE装置の開発とGd/In/Si(111)金属表面の磁性研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRD-7 ビスマス超薄膜のスピン偏極表面電子状態、電気伝導特性に関する研究(28aRD 若手奨励賞講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-33 超高真空低温型表面磁気光学力 : 効果測定装置の開発(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-4 磁性体吸着した金属表面Si(111)-√×√の電気伝導(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
- 14aXG-11 一価金属吸着 Si(111) 表面上 √×√ 超構造のフェルミ円と表面電気伝導の研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 24aRJ-4 Bi超薄膜におけるRashba効果と量子サイズ効果(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aRJ-4 Bi超薄膜におけるRashba効果と量子サイズ効果(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-13 In/Si(111)金属表面超構造へのGd吸着(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-6 Pb吸着Ag超薄膜の量子井戸状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aYH-10 Si(111)7×7表面上Na吸着に伴う金属-絶縁体転移とその電気伝導変化(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- トポロジカル絶縁体は本当か--実験から見て (特集 トポロジカル絶縁体)
- 20aPS-13 Si(111) 表面上 Ag 吸着層のフェルミ面マッピング
- トポロジカル絶縁体は本当か : 実験から見て
- 26aTH-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-9 擬1次元金属表面Si(110)-2×5-AuのSTM観察及び電気伝導測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-7 ビスマス超薄膜の表面状態における電流誘起スピン偏極の測定(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-5 集束イオンビーム複合型低温4探針STM装置の開発(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-7 ビスマス超薄膜の表面状態における電流誘起スピン偏極の測定(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-4 三次元トポロジカル絶縁体上への二次元量子スピンホール相単一バイレイヤーBiの成長(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-4 Si(111)-4×1-In表面の異方的表面電気伝導度の温度依存性(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-3 擬1次元金属表面Si(110)-2×5-AuのSTM観察及び電気伝導測定(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-2 高磁場下サブケルビン・マイクロ4端子プローブ装置の開発(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aRC-6 ラシュバ・トポロジカル表面系の輸送特性(22aRC 領域9,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム:多彩な表面系における電子輸送現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 研究ニュース
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-2 Pbドープによるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3超薄膜の電子状態制御と電気伝導度(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCC-5 表面X線回折法によるBi/Bi_2Te_3トポロジカル絶縁体界面の構造研究(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCK-10 In,Pbモノレイヤー超伝導体の超伝導転移および臨界磁場測定(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aFE-9 Si(110)2×5-Auにおける非整数次元伝導の測定(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-4 集束イオンビームによるin situ微細加工を施した表面の電気伝導特性(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-11 ビスマス超薄膜の超高真空・低温・強磁場中における電気伝導測定(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-12 シリセン吸着Ag超薄膜の量子井戸状態の研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-55 Si(111)上の希薄磁性表面の電気伝導度測定(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-10 ビスマス超薄膜における半金属半導体転移の検証(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pKF-3 Bi_2Se_3超薄膜でのスピンホール効果検出の試み(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30pAQ-6 FIB微細加工を用いたBi_2Se_3のスピンホール効果測定(30pAQ 領域9,領域4合同 トポロジカル表面,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 28aAQ-3 多層シリセンの構造解析(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))