21pYE-1 Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 長谷川 修司

  東大理

• 平原 徹

  東大理

• 松田 巌

  東大理

• 内橋 隆

  物材機構

• 永村 直佳

  東大理

• 箕輪 雅章

  東大理

• 宮田 伸弘

  東大理

• 宮田 信弘

  東大理

• 大渕 千種

  JST

• 永村 直佳

  東大院工:東大放射光機構

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