20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 長谷川 修司

  東大理

• 尾浦 憲治郎

  大阪大学大学院

• 保原 麗

  東大理

• 吉本 真也

  東大物性研

• 松田 巌

  東大理

• 生野 孝

  阪大工

• 本多 信一

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U

• Honda Shin-ichi

  Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University

• 片山 光浩

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U

• Katayama Mitsuhiro

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• 尾浦 憲治郎

  阪大工

• Wongwiriyapan Winadda

  阪大工

• 片山 光浩

  阪大工

• 吉本 真也

  東大理

• 保原 麗

  東京大学大学院理学系研究科物理学教室

• 本多 信一

  阪大工

• 山内 規裕

  阪大工

• 山内 規裕

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専政

関連論文

• 20pGQ-3 シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の電子構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGQ-2 BiSb合金超薄膜表面状態の光電子分光スペクトルの偏光依存性(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pRC-15 第41回国際物理オリンピック(IPhO)日本代表訓練:実験研修(21pRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
• 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aVE-11 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告IV : 全体報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 28aVE-7 第40回国際物理オリンピック(メキシコ大会)報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pGQ-10 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aVE-8 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告 : I. 第1チャレンジ(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pRA-2 第4回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2008報告II : 実験問題(20pRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
• 19pXJ-3 物理チャレンジ・オリンピック日本委員会報告 : II.国際物理オリンピック2007代表候補者教育訓練(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 19pXJ-4 物理チャレンジ・オリンピック日本委員会報告III : 国際物理オリンピック2007代表候補訓練冬合宿・春合宿(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 24aWA-1 国際物理オリンピック(IPhO)と物理チャレンジI : IPhO選手派遣に至るまで(24aWA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
• 22pXF-12 Pb吸着Ge(111)表面の相転移とその電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-11 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-6 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-14 低温における金蒸着シリコン表面の電気伝導度の比較(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-10 金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-21 Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pYB-5 全Au/Si(111)表面超構造シリーズの電気伝導とその違い(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYB-4 Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYB-11 極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャルと電気伝導特性(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-11 Au吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-8 室温から極低温までのAu/Si(111)表面の表面電子輸送研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pXC-3 CoSi_2ナノワイヤの電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-9 Au/Si(111) 表面上のグラスークリスタル転移の表面電子輸送研究(表面界面電子物性, 領域 9)
• 27aWP-6 Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 27aWP-5 マイクロ4端子法によるSi(111)√×√-Ag表面電気伝導の温度依存性の研究(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 27aWP-4 In/Si(111)-4x1 ↔ 8x'2'表面相転移に対する不純物の影響(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 27aYG-12 キャリアドープしたモット絶縁体表面の電気伝導(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXA-9 表面状態電気伝導測定によるSn/Si(111)の基底状態の研究(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 14aXG-4 室温∿極低温 STM/STS による Ge(111) 表面上 Pb, Sn 吸着系 √×√→3×3 相転移の電子状態研究(表面界面電子物性, 領域 9)
• 21aYD-6 Si(111)-4x1-In 系の低温相転移の STM 観察
• 31aZE-13 内殻光電子分光による Si(111)√x√-(Ag, Na) 表面の研究
• 31aZE-12 Si(111)-√x√(Ag+Na) の表面電子構造
• 19aRH-9 室温及び低温におけるα-(√x√)-Sn,Pb/Si(111)表面のSTM観察
• 23aYH-7 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYH-9 In/Si(111)-√×√表面超構造の金属伝導と絶縁体転移(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
• 31pZE-4 マイクロ 4 端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究
• 3p-J-4 Si(111)上のInの吸着構造と表面電気伝導
• 31p-PSB-55 Si(111)-√3×√3-Pb上にPbを蒸着した場合の表面構造と電気伝導
• 31a-J-5 電子線励起X線全反射角分光(RHEED-TRAXS)の理論、X線放出角依存性
• 30a-PS-22 低温に於けるAg/Si(111)-√×√-Agの電気伝導
• 29a-J-13 Si(111)表面の構造と光電気伝導
• 28p-PSB-10 Si(111)表面構造に依存した電気伝導の電界効果3
• 2p-PSA-49 Si(111)-√×√-(Au, Ag)からのAgの等温脱離過程
• 2p-PSA-30 Si(111)表面電気伝導に及ぼすAgとAuの蒸着速度の影響
• 2p-PSA-27 Si(111)上のAgのエピタクシャル成長
• 31a-WC-7 In/Si(111)√3x√3-Ga表面構造におけるUHV-SEMコントラストとX線強度の測定
• 31a-WC-6 Si(111)5x2-Auの表面電気伝導とバンドベンディング
• 28p-PSB-22 Si(111) 表面構造に依存した電気伝導の電界効果 2
• 28p-PSB-16 RHEED-TRAXS法によるSi(111)上での2種金属の加熱時における成長様式の観察
• 15a-DH-6 Si(111)√×√-GaにInを吸着させた表面のUHV-SEMによる観察
• 14p-DJ-11 低温のSi(111)表面構造上におけるエピタクシャル成長
• 14p-DJ-6 Si(111)表面構造に依存した電気伝導の電界効果
• 14p-DJ-5 Si(111)上の表面構造に依存した電気伝導とバンドベンデイング
• 13a-PS-11 Si(111)表面上のInのエピタクシャル成長と電気伝導
• 1a-H-2 Si(111)面上に吸着させたAg原子熱脱離過程のイオン励起 : TRAXS(total reflection angle x-ray spectroscopy)による測定
• 1a-H-1 清浄および金属吸着Si(111)表面構造の相転移
• 24aXB-6 PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√×√-Ag表面の電気伝導測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-4 Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-131 表面状態のホール抵抗測定(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-10 低温型四探針 STM による電気伝導測定(表面界面電子物性, 領域 9)
• 21aYD-7 STM/STS 測定による Si(111)√3x√3-Ag 表面ステップの研究
• 22pPSA-81 Mn吸着したSi(111)√×√-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定II(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXA-10 Pb超薄膜電気伝導度のbilayer振動 : バンド構造からの考察(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-75 極低温・強磁場印加型独立駆動マルチプローブシステムの開発(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-2 Pb超薄膜の電子輸送の振動現象(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aPS-5 Si(111)4×1-In表面Ag(111)薄膜の量子井戸状態の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-1 Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-5 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究II(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-3 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aYG-13 希薄磁性表面での抵抗異常 : 近藤効果とRKKY相互作用の競合(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pYB-6 金原子吸着Si(111)-√×√-Ag表面の電気伝導度(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pXF-11 吸着子によるSi(111)-√x√-Ag表面の金属バンドの分裂(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-22 Influence of local band bending on the shapes of Si2p core-level spectra of the Au adsorbed Si(111)-√×√-Ag surface
• 25pWB-9 Si(111)√3×√3-Ag表面の電気伝導II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14pXG-4 金原子吸着した Si(111)-√×√-Ag 表面についての研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 29aZF-8 Si(111)√x√-Ag 表面の作成法によるモルフォロジーの違い
• 19pPSB-41 Si(111)-√x√-(Ag+アルカリ金属)構造のSTM観察
• 30pTE-1 金属被覆CNT探針を用いたダマシン銅ワイヤのナノメーター電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定
• 18pTG-1 ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-38 アルカリ金属原子吸着Si(111)-√×√表面の構造と電気伝導
• 30pTE-2 金属被覆CNT探針を用いたFeSi2ナノワイヤの4探針電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSB-28 微傾斜した Si(111)-Au 表面の STM 観察
• 29pPSB-55 ナトリウムを吸着したSi(111)√×√-Sn表面の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-5 SMOKE装置の開発とGd/In/Si(111)金属表面の磁性研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-33 超高真空低温型表面磁気光学力 : 効果測定装置の開発(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-4 磁性体吸着した金属表面Si(111)-√×√の電気伝導(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30p-BPS-12 室温のSi(111)面上における金属のエピタクシャル成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク