吉本 真也 | 東大物性研
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概要
関連著者
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吉本 真也
東大物性研
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吉信 淳
東大物性研
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向井 孝三
東大物性研
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向井 孝三
東京大学物性研究所
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小板谷 貴典
東大物性研
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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長谷川 修司
東大理
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保原 麗
東大理
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吉本 真也
東大理
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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松田 巌
東大理
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平原 徹
東大理
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亀島 一輝
東大物性研
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清水 皇
東大物性研
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片山 哲夫
東大物性研
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塩澤 佑一朗
東大物性研
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原田 洋介
東大物性研
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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坂口 裕二
東大物性研
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生野 孝
阪大工
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本多 信一
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U
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Honda Shin-ichi
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
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片山 光浩
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U
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Katayama Mitsuhiro
Osaka Univ. Osaka Jpn
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尾浦 憲治郎
阪大工
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片山 光浩
阪大工
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北岡 佑介
東大理
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本多 信一
阪大工
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紅谷 篤史
東大物性研
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清水 皇
東京大学物性研究所
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吉本 真也
東京大学物性研究所
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辛 埴
東大物性研
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松田 巌
東大物性研
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古橋 匡幸
東大物性研
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宮脇 淳
理研
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辛 埴
理研
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赤木 和人
東北大WPI
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中山 泰生
千葉大先進
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宮脇 淳
理研:spring-8
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中山 泰生
千葉大学先進科学センター
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筒井 琢仁
東大物性研
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市川 昌和
CREST-JST
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高田 恭考
理研
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深澤 愛子
名古屋大理
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山口 茂弘
名古屋大理
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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Wongwiriyapan Winadda
阪大工
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山口 茂弘
名古屋大学大学院理学研究科
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沖野 泰之
東大理
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山崎 詩郎
東大理
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山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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山崎 詩郎
東京大学大学院理学系研究科:npo法人science Station
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赤木 和人
東大院理
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中山 泰生
CREST-JST
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劉 燦華
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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劉 燦華
東大理
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村田 祐也
阪大工
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岸田 優
阪大工
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前田 大輔
阪大工
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保田 達郎
阪大工
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東野 剛之
東大理
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大場 隆之
東大工
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山内 規裕
阪大工
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赤木 和人
東北大
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山内 規裕
大阪大学大学院工学研究科電子工学専政
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市川 昌和
Crest-jst:東大工
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Katayama Mitsuhiro
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U
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村瀬 加内江
東大物性研
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水澤 岳
東大物性研
-
藤巻 和貴
東大物性研
著作論文
- 21aGL-9 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGL-10 F4-TCNQ/Cu(100)の振動と電子状態(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-6 DBP-S/Cu(100)の吸着状態と配向変化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aXB-6 PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√×√-Ag表面の電気伝導測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 4探針STMで何ができるのか (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (輸送現象)
- 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-131 表面状態のホール抵抗測定(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-10 低温型四探針 STM による電気伝導測定(表面界面電子物性, 領域 9)
- 30pYB-6 金原子吸着Si(111)-√×√-Ag表面の電気伝導度(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-3 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着状態とCH伸縮振動ソフトモード(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pTE-1 金属被覆CNT探針を用いたダマシン銅ワイヤのナノメーター電気伝導測定(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-8 Rh(111)表面における氷単層膜形成の微視的過程 : STM,IRASによる研究(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-10 水素原子で修飾したRh(111)表面における水分子の吸着(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定
- 23pWX-5 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aRL-5 表面赤外分光によるPt(997)表面におけるTTFの多様な電荷移動状態の観測(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTH-4 エチレン終端Si(100)基板に吸着したF_4-TCNQの電子状態と配向 : 高分解能XPSとNEXAFSによる研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTN-10 独立駆動型4探針装置によるペンタセン薄膜のトランジスタ特性測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTN-9 化学修飾したSi(100)表面におけるペンタセンの薄膜成長とエネルギーレベルアラインメント(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aHA-3 Pt(997)表面上におけるTTFの吸着状態に関するHREELSおよびHRXPSによる研究(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aHA-6 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着構造に関する同位体効果(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pTG-11 エチレン終端Si(100)表面に成長させたペンタセン薄膜のF4-TCNQによるエネルギーアラインメント制御(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCK-8 Cu(100)表面に吸着したカリウム原子の分布と電子状態 : 低温STMによる研究(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aHA-10 エチレン終端Si(100)表面とペンタセン薄膜に挟まれたF_4-TCNQの電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHA-9 化学修飾によって制御されたSi(100)基板とF_4-TCNQの相互作用・電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pFN-4 Cu(997)に吸着したCO_2におけるFano形状振動ピークの観測(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXZA-7 F_4-TCNQ分子を用いたホールドーピングによる自然酸化Si(111)表面の電気伝導度変化(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXZA-2 Rh(111)におけるシクロヘキサンのエネルギー準位アラインメント:界面双極子と終状態効果(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJA-9 Si(111)表面にアンカーさせたフェニル化合物の構造と電気伝導(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aJB-2 Cu(111)表面におけるギ酸分解反応のキネティクス(表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))