向井 孝三 | 東京大学物性研究所

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概要

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• 向井 孝三

  東大物性研

• 向井 孝三

  東京大学物性研究所

• 吉信 淳

  東大物性研

• 吉本 真也

  東大物性研

• 小板谷 貴典

  東大物性研

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 亀島 一輝

  東大物性研

• 大野 真也

  横国大工

• 田中 正俊

  横国大工

• 豊島 弘明

  横国大工

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  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 常行 真司

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• 横山 崇

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• 井上 慧

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• 横山 崇

  横浜市大国際総合

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 梅山 裕史

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• 長尾 昌志

  分子科学研究所

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• 梅山 裕史

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• 豊島 弘明

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• 水澤 岳

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• 平尾 法恵

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• 関口 哲弘

  原子力研

• 下山 巌

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• 則武 宏幸

  東京大学物性研究所

• 小板谷 貴典

  東京大学物性研究所

• 下山 巌

  原子力機構量子ビーム

• 藤巻 和貴

  東大物性研

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著作論文

• 21aGL-9 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGL-10 F4-TCNQ/Cu(100)の振動と電子状態(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-3 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着状態とCH伸縮振動ソフトモード(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pWX-5 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
• Si(100)表面へのエチレンの環化付加反応における前駆状態の直接観測
• 26pTH-4 エチレン終端Si(100)基板に吸着したF_4-TCNQの電子状態と配向 : 高分解能XPSとNEXAFSによる研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• OME2000-54 原子レベルで制御されたハイブリッド構造の創成と物性探索
• 28pTN-10 独立駆動型4探針装置によるペンタセン薄膜のトランジスタ特性測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-9 化学修飾したSi(100)表面におけるペンタセンの薄膜成長とエネルギーレベルアラインメント(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aHA-3 Pt(997)表面上におけるTTFの吸着状態に関するHREELSおよびHRXPSによる研究(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aHA-6 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着構造に関する同位体効果(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pTG-11 エチレン終端Si(100)表面に成長させたペンタセン薄膜のF4-TCNQによるエネルギーアラインメント制御(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pPSB-17 表面修飾Si(001)表面上のオリゴチオフェン分子の構造と電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aCK-8 Cu(100)表面に吸着したカリウム原子の分布と電子状態 : 低温STMによる研究(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-22 表面修飾Si(001)表面上のα-sexithiophene分子の構造と電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aFE-1 表面修飾Si(001)表面上のα-sexithiophene超薄膜の構造(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aHA-10 エチレン終端Si(100)表面とペンタセン薄膜に挟まれたF_4-TCNQの電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aHA-9 化学修飾によって制御されたSi(100)基板とF_4-TCNQの相互作用・電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pFN-4 Cu(997)に吸着したCO_2におけるFano形状振動ピークの観測(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXK-7 CO/Pt(997)系におけるステップ近傍の電荷移動挙動 : 高分解能X線光電子分光による研究(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXZA-7 F_4-TCNQ分子を用いたホールドーピングによる自然酸化Si(111)表面の電気伝導度変化(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXZA-2 Rh(111)におけるシクロヘキサンのエネルギー準位アラインメント:界面双極子と終状態効果(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pJA-9 Si(111)表面にアンカーさせたフェニル化合物の構造と電気伝導(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aJB-2 Cu(111)表面におけるギ酸分解反応のキネティクス(表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

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