OME2000-54 原子レベルで制御された<機能性有機分子/シリコン>ハイブリッド構造の創成と物性探索
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
有機分子/シリコン構造をデバイスに応用するための基礎的研究として、二重結合をもつ有機分子とSi(100)(2x1)表面との相互作用について調べた。1, 4-cyclohexadieneはSi(100)(2x1)表面とdi-σ Si-C結合を形成し、かつ、未反応のπ軌道を一つ残して、Cs対称で秩序構造を形成していることがわかった。一方、シクロヘキセンではSTMにより、二種の吸着状態が観測され、理論計算により、それらの吸着状態は配座異性体であるふな形及びいす型構造によるものと同定した。いす型及びふな形構造が可逆的に転移可能ならば、この系は分子一個が情報をもった究極のデバイスとなる可能性を秘めている。
- 2000-07-21
著者
-
向井 孝三
東大物性研
-
赤木 和人
東北大WPI
-
吉信 淳
東京大学物性研究所
-
赤木 和人
東大院理
-
赤木 和人
東北大
-
常行 真司
東京大学物性研究所
-
赤木 和人
東京大学物性研究所
-
向井 孝三
東京大学物性研究所
-
山下 良之
東京大学物性研究所
関連論文
- 21aGL-9 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGL-10 F4-TCNQ/Cu(100)の振動と電子状態(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13aXF-6 不飽和結合・水酸基・アミノ基を持つ有機分子の Si(001) 表面での拡散 : プロセスへの第一原理的アプローチ(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 23aGP-2 Al_2O_3(0001)面およびMgO(001)面と水との界面構造の第一原理分子動力学法による研究(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aQE-1 FMO-LCMO法に基づく巨大分子系の電子状態解析(電子状態・振動子・エネルギー移動と緩和,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWB-9 FMO法に基づくタンパク質のハミルトニアンの解析(23aWB 光応答・光散乱・化学物理一般・シミュレーション手法・量子系・電子状態,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-6 DBP-S/Cu(100)の吸着状態と配向変化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pZB-9 ジグザグ端改質法による磁気的ナノグラファイトと高スピン炭化水素の理論予測
- 25aYH-3 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着状態とCH伸縮振動ソフトモード(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aRD-8 Rh(111)表面における氷単層膜形成の微視的過程 : STM,IRASによる研究(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-10 水素原子で修飾したRh(111)表面における水分子の吸着(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28p-YM-13 c(2x2)-N/Cu(100)面上のCo薄膜のSTM観察
- PtRh(100)面上の酸素により誘起されるp(3x1)とc(2x20)構造
- Ag(110)面上の酸素、窒素共吸着構造とその反応性
- 23pWX-5 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF_4-TCNQの電子状態 : NEXAFSと内殻光電子分光による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYC-5 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRJ-5 N/Rh(111)表面でのNOダイマーの形成(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTE-4 エチレン終端Si(100)基板におけるF_4-TCNQのSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- シリコン表面における環化付加反応
- 21aXJ-9 Rh(111)における親水性・疎水性水単層上での氷成長(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aRG-2 三次元重合フラーレンの第一原理計算(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aXJ-6 Si(100)非対称ダイマーへの不飽和炭化水素の環化付加反応 : マルコフニコフ則は成り立つのか?(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXD-11 Si(100)における単一有機分子のSTS : 負性微分抵抗の観測(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
- 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
- 29pRD-5 GGAを超える近似手法を用いた分子吸着系・架橋系の電子状態の評価(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 領域9,領域10「Physics and applications of hydrogen absorption on Pd surfaces and nano particles」(2008年秋季大会シンポジウムの報告)
- 20pYA-8 タンパク質の電子状態解析 : 物性物理的アプローチ(20pYA 領域7,領域5合同シンポジウム:生物物質科学-金属を含む分子系を中心に-,領域7(分子性固体・有機導体))
- 領域9,7「単一分子伝導研究の現状と課題」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
- 29pYE-2 第一原理計算によるシリコン表面の有機分子ダイナミクス(領域9,領域7,領域12合同シンポジウム : 有機分子と表面の相互作用 : 単一分子から薄膜までのサイエンス)(領域9)
- 29pYE-2 第一原理計算によるシリコン表面の有機分子ダイナミクス(領域9,領域7,領域12合同シンポジウム : 有機分子と表面の相互作用 : 単一分子から薄膜までのサイエンス)
- 22aXK-8 エチレン終端Si(100)基板とF_4-TCNQの相互作用 : △Φと価電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-11 Rh(111)における水分子の付着確率と脱離キネティクス(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pYH-9 極低温Rh(111)における水分子の過渡的表面拡散とダイマー形成(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pYC-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF4-TCNQの電子状態(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-11 Si(100)c(4x2)表面における有機アミンの吸着状態 : 光電子分光による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYC-8 吸着子・表面間の軌道混成への電場の影響の第一原理計算による評価(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXJ-3 「不飽和炭化水素/Si(001)」吸着系への電場の影響の第一原理計算による評価(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-6 Rh(111)表面における水単分子層の構造(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXD-7 Rh(111)表面に成長させた氷薄膜の電子線誘起による結晶化(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 軟X線吸収発光分光法によるSi02/Si界面電子状態のサイト選択的観測 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- 15pXE-1 軟 X 線発光分光法による SiO_2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 12aXF-13 低温 Rh(111) 表面における水分子の凝集過程 : 赤外反射吸収分光法による研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 23aYE-1 Ice/CO/Rh (111) における CO の吸着状態と電子線照射効果
- 31aWD-3 高分解能内殻光電子分光法を用いた Si(100) 表面の基底状態の研究
- 19pPSB-17 高分解能Si2p光電子分光による低温Si(100)(2x1)表面の電子状態
- 19aTF-11 Si(100)(2xl)非対称ダイマーへのCOのサイト選択的吸着 : Si Zp高分解能光電子分光による研究
- 19aTF-10 Si(100)(2x1)表面における非対称ダイマーとピリジンの反応性
- 21pRK-13 アミノ酸集合体として見たタンパク質電子状態のモデル化(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- 20pYD-10 STM observation of site-specific adsorption for Lewis base molecules on Si(100)c(4x2)
- 28aYQ-2 Yへの水素の吸着・吸蔵とそれにともなう電子状態の変化 : 光電子分光による研究
- 22aWA-9 高分解能Si2p光電子分光による不飽和炭化水素/Si(100)(2×1)ハイブリッド系の電子状態
- 24pY-12 Si(100)-有機分子ハイブリッド系の構築(1) : 簡単な環状不飽和炭化水素
- 25pXD-6 Pt(997)表面におけるNO分子の拡散過程(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aXG-6 Pt(997) 表面における NO の吸着構造 : STM による観察(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
- 27aYE-6 極低温Pt(997)表面におけるNO分子の吸着と過渡的表面拡散(表面界面ダイナミクス(分子))(領域9)
- 29aZE-2 Pt(997) における CO の過渡的拡散 : 極低温 IRAS による観察とモデルによる平均変位のみつもり
- 28aXE-10 Si(100)(2×1)における1, 4-シクロヘキサジエン吸着状態の被覆量依存性
- 15pXG-8 分子吸着による Si(100)c(4×2) 相のピニング (1) : STM(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- Si(100)表面へのエチレンの環化付加反応における前駆状態の直接観測
- 27pPSA-32 Si(100)表面におけるビニルブロマイド吸着過程のSTMによる直接観測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYC-12 Si(100) におけるビニルブロマイドの前駆状態を経由した化学吸着過程
- 26pTH-4 エチレン終端Si(100)基板に吸着したF_4-TCNQの電子状態と配向 : 高分解能XPSとNEXAFSによる研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- OME2000-54 原子レベルで制御されたハイブリッド構造の創成と物性探索
- 28pTN-10 独立駆動型4探針装置によるペンタセン薄膜のトランジスタ特性測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTN-9 化学修飾したSi(100)表面におけるペンタセンの薄膜成長とエネルギーレベルアラインメント(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 15pXG-9 分子吸着による Si(100)c(4×2)相のピニング (2) : LEED(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30aTA-9 低温IRAS/STMによる吸着分子の観察 : CO/Pt(997)
- 22aHA-3 Pt(997)表面上におけるTTFの吸着状態に関するHREELSおよびHRXPSによる研究(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aHA-6 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着構造に関する同位体効果(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pTG-11 エチレン終端Si(100)表面に成長させたペンタセン薄膜のF4-TCNQによるエネルギーアラインメント制御(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pPSB-17 表面修飾Si(001)表面上のオリゴチオフェン分子の構造と電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXD-8 エチレン/Si(100)の前駆状態から化学吸着状態への光誘起反応(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23pWA-6 SrTiO_3(100)基板におけるLa_Sr_xMnO_3の成長とステップ細線形成 : XPSとSPMによる研究
- 29aZF-2 Si(100) 表面上の C 欠陥の新しいモデル
- 25pXD-10 低温Si(100)における吸着1,4-シクロヘキサジエンの前駆状態 : UPSによる研究(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aCK-8 Cu(100)表面に吸着したカリウム原子の分布と電子状態 : 低温STMによる研究(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-22 表面修飾Si(001)表面上のα-sexithiophene分子の構造と電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aFE-1 表面修飾Si(001)表面上のα-sexithiophene超薄膜の構造(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aHA-10 エチレン終端Si(100)表面とペンタセン薄膜に挟まれたF_4-TCNQの電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHA-9 化学修飾によって制御されたSi(100)基板とF_4-TCNQの相互作用・電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pFN-4 Cu(997)に吸着したCO_2におけるFano形状振動ピークの観測(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYC-10 Ge(100) 表面におけるピリジンの吸着と配向 : 価電子帯光電子分光による研究
- 19pPSB-47 Si(100)表面上におけるシクロヘキセンの吸着状態の温度依存性
- 28pXK-7 CO/Pt(997)系におけるステップ近傍の電荷移動挙動 : 高分解能X線光電子分光による研究(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXZA-7 F_4-TCNQ分子を用いたホールドーピングによる自然酸化Si(111)表面の電気伝導度変化(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXZA-2 Rh(111)におけるシクロヘキサンのエネルギー準位アラインメント:界面双極子と終状態効果(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 8aSP-12 アモルファス氷におけるCOの化学反応 : (2)メタノールの生成(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 8aSP-11 アモルファス氷におけるCOの化学反応 : (1)CO2の生成(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 28pJA-9 Si(111)表面にアンカーさせたフェニル化合物の構造と電気伝導(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aJB-2 Cu(111)表面におけるギ酸分解反応のキネティクス(表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYF-10 低温Rh(111)表面における非晶質・結晶性氷 : IRASによる研究(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 7aSN-13 Si(100)表面における非対称ダイマーの反応性(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 25aYF-8 エチレン/Si(100)における高分解能光電子分光による振動分離されたClsスペクトルの観測(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 28pPSA-38 不活性化したSi(001)表面上のオリゴチオフェン薄膜の電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))