23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-08-18
著者
-
辛 埴
東大物性研
-
吉信 淳
東大物性研
-
原田 慈久
東大院工
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
Selete
-
山下 良之
物材機構
-
向井 孝三
東大物性研
-
吉信 淳
東京大学物性研究所
-
原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
-
HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
-
徳島 高
理研:spring8
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
徳島 高
理研 Spring-8
-
原田 慈久
理研 SPring-8
-
山下 良之
東大物性研
-
小口 和博
東大物性研
-
犬宮 誠治
Selete
-
杉田 義博
Selete
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
徳島 高
理化学研究所
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