小口 和博 | 東大物性研
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概要
関連著者
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吉信 淳
東大物性研
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向井 孝三
東大物性研
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小口 和博
東大物性研
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山下 良之
物材機構
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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山下 良之
東大物性研
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原田 慈久
東大院工
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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徳島 高
理研:spring8
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徳島 高
理研 Spring-8
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原田 慈久
理研 SPring-8
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徳島 高
理化学研究所
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辛 埴
東大物性研
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古橋 匡幸
東大物性研
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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奈良 安雄
Selete
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片山 哲夫
東大物性研
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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田村 直義
富士通研究所
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犬宮 誠治
Selete
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杉田 義博
Selete
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幸 埴
東大物性研
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野平 博司
武蔵工大
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服部 健雄
武蔵工大
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坂口 裕二
東大物性研
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近藤 寛
慶應大理工化学
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近藤 寛
慶応大理工
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近藤 寛
慶応大学
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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紅谷 篤史
東大物性研
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大久保 悠
東大物性研
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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利田 祐麻
東大物性研
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近藤 寛
慶應義塾大学
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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田村 直義
富士通研
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Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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幸 埴
東大物性研:理研 Spring-8
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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原田 慈久
東京大学
著作論文
- 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF_4-TCNQの電子状態 : NEXAFSと内殻光電子分光による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTE-4 エチレン終端Si(100)基板におけるF_4-TCNQのSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aXJ-6 Si(100)非対称ダイマーへの不飽和炭化水素の環化付加反応 : マルコフニコフ則は成り立つのか?(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXD-11 Si(100)における単一有機分子のSTS : 負性微分抵抗の観測(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))