山下 良之 | 東大物性研
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概要
関連著者
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山下 良之
東大物性研
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吉信 淳
東大物性研
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向井 孝三
東大物性研
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山下 良之
物材機構
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山本 達
東大物性研
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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山本 達
東京大学物性研究所
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町田 真一
東大物性研
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長尾 昌志
東大物性研
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町田 真一
Icorp Jst:物材機構
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掛札 洋平
東大物性研
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小口 和博
東大物性研
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利田 祐麻
東大物性研
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紅谷 篤史
東大物性研
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塚原 規志
東京大学 大学院新領域創成科学研究科
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塚原 規志
東大物性研
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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浜口 香苗
東大物性研
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Hossain M.
東大物性研
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安井 芙美子
東大物性研
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原田 慈久
東大院工
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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徳島 高
理研:spring8
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徳島 高
理研 Spring-8
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原田 慈久
理研 SPring-8
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徳島 高
理化学研究所
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辛 埴
東大物性研
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古橋 匡幸
東大物性研
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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奈良 安雄
Selete
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辛 埴
理研
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小森 文夫
東大物性研
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片山 哲夫
東大物性研
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赤木 和人
東北大WPI
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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河合 伸
九大理
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原田 慈久
理研
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TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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西岡 泰城
日本TI筑波研究開発セ
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浅野 明
阪大 産研
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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田村 直義
富士通研究所
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大村 彩子
新潟大超域
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犬宮 誠治
Selete
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杉田 義博
Selete
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幸 埴
東大物性研
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野平 博司
武蔵工大
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服部 健雄
武蔵工大
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高田 恭孝
SPring-8
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小林 光
科技団
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浅野 明
阪大産研
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西岡 泰城
TIつくば研究セ
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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川崎 雅司
東工大総合理工
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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関場 大一郎
東大物性研
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関場 大一郎
東京大学物性研究所
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赤木 和人
東大院理
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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赤木 和人
東北大
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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佐藤 智重
日本電子(株)
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常行 真司
東大物性研
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大村 彩子
東北大学金属材料研究所
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大村 彩子
東大物性研
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赤木 和人
SPring-8
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河合 伸
九大院理
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Machida S.
東大物性研
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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田村 直義
富士通研
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Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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幸 埴
東大物性研:理研 Spring-8
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梅山 裕史
東京大学物性研究所
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Md. Zakir
東大物性研
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山本 達
東大物性研究所
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梅山 裕史
東大物性研
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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Lippmaa M.
東工大総合理工
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木下 智豊
東工大総合理工
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原田 慈久
東京大学
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山本 進
東大物性研
著作論文
- 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28a-YR-12 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度及び界面のラフネスの関係
- 26pYC-5 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-11 Si(111)表面に化学吸着したアルキル分子単層膜の電気伝導特性と絶縁破壊(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTE-4 エチレン終端Si(100)基板におけるF_4-TCNQのSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aXJ-6 Si(100)非対称ダイマーへの不飽和炭化水素の環化付加反応 : マルコフニコフ則は成り立つのか?(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXD-11 Si(100)における単一有機分子のSTS : 負性微分抵抗の観測(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 22aXK-8 エチレン終端Si(100)基板とF_4-TCNQの相互作用 : △Φと価電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pYH-9 極低温Rh(111)における水分子の過渡的表面拡散とダイマー形成(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pYC-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF4-TCNQの電子状態(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-11 Si(100)c(4x2)表面における有機アミンの吸着状態 : 光電子分光による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-6 Rh(111)表面における水単分子層の構造(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXD-7 Rh(111)表面に成長させた氷薄膜の電子線誘起による結晶化(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXE-1 軟 X 線発光分光法による SiO_2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 12aXF-13 低温 Rh(111) 表面における水分子の凝集過程 : 赤外反射吸収分光法による研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 23aYE-1 Ice/CO/Rh (111) における CO の吸着状態と電子線照射効果
- 31aWD-3 高分解能内殻光電子分光法を用いた Si(100) 表面の基底状態の研究
- 19pPSB-17 高分解能Si2p光電子分光による低温Si(100)(2x1)表面の電子状態
- 19aTF-11 Si(100)(2xl)非対称ダイマーへのCOのサイト選択的吸着 : Si Zp高分解能光電子分光による研究
- 19aTF-10 Si(100)(2x1)表面における非対称ダイマーとピリジンの反応性
- 20pYD-10 STM observation of site-specific adsorption for Lewis base molecules on Si(100)c(4x2)
- 28aYQ-2 Yへの水素の吸着・吸蔵とそれにともなう電子状態の変化 : 光電子分光による研究
- 22aWA-9 高分解能Si2p光電子分光による不飽和炭化水素/Si(100)(2×1)ハイブリッド系の電子状態
- 24pY-12 Si(100)-有機分子ハイブリッド系の構築(1) : 簡単な環状不飽和炭化水素
- 25pXD-6 Pt(997)表面におけるNO分子の拡散過程(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aXG-6 Pt(997) 表面における NO の吸着構造 : STM による観察(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
- 27aYE-6 極低温Pt(997)表面におけるNO分子の吸着と過渡的表面拡散(表面界面ダイナミクス(分子))(領域9)
- 29aZE-2 Pt(997) における CO の過渡的拡散 : 極低温 IRAS による観察とモデルによる平均変位のみつもり
- 28aXE-10 Si(100)(2×1)における1, 4-シクロヘキサジエン吸着状態の被覆量依存性
- 15pXG-8 分子吸着による Si(100)c(4×2) 相のピニング (1) : STM(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 27pPSA-32 Si(100)表面におけるビニルブロマイド吸着過程のSTMによる直接観測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYC-12 Si(100) におけるビニルブロマイドの前駆状態を経由した化学吸着過程
- 15pXG-9 分子吸着による Si(100)c(4×2)相のピニング (2) : LEED(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30aTA-9 低温IRAS/STMによる吸着分子の観察 : CO/Pt(997)
- 25pXD-8 エチレン/Si(100)の前駆状態から化学吸着状態への光誘起反応(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23pWA-6 SrTiO_3(100)基板におけるLa_Sr_xMnO_3の成長とステップ細線形成 : XPSとSPMによる研究
- 29aZF-2 Si(100) 表面上の C 欠陥の新しいモデル
- 25pXD-10 低温Si(100)における吸着1,4-シクロヘキサジエンの前駆状態 : UPSによる研究(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23aYC-10 Ge(100) 表面におけるピリジンの吸着と配向 : 価電子帯光電子分光による研究
- 19pPSB-47 Si(100)表面上におけるシクロヘキセンの吸着状態の温度依存性
- 8aSP-12 アモルファス氷におけるCOの化学反応 : (2)メタノールの生成(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 8aSP-11 アモルファス氷におけるCOの化学反応 : (1)CO2の生成(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 27pYF-10 低温Rh(111)表面における非晶質・結晶性氷 : IRASによる研究(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 7aSN-13 Si(100)表面における非対称ダイマーの反応性(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 25aYF-8 エチレン/Si(100)における高分解能光電子分光による振動分離されたClsスペクトルの観測(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))