河合 伸 | 九大理
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概要
関連著者
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河合 伸
九大理
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中村 美道
東京大学大学院工学系研究科
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中山 正敏
九大理
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河合 伸
九大院理
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中村 美道
九大VBL
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成清 修
九大理
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成清 修
九大院理
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中村 美道
九大理
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吉本 芳英
東京大学物性研究所
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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吉本 芳英
物性研
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楳崎 将
九大理
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森嶋 大輔
九大理
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塙 洋祐
九大院理
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松藤 謙介
九大院理
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吉信 淳
東大物性研
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向井 孝三
東大物性研
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栃原 浩
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒研
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栃原 浩
北大触媒セ
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吉本 芳英
東大物性研
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山下 良之
東大物性研
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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塚田 捷
東大理
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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塚田 捷
東京大学理学部
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佐藤 智重
日本電子(株)
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塚田 捷
東大院理
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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天草 貴昭
日本電子(株)
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吉本 芳英
東大理
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嶋 洋亮
九大院理
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中村 美道
CREST
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河合 伸
九州大学大学院理学研究科
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末吉 孝
JEOL
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天草 貴昭
JEOL
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太田 祐樹
九大院理
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岩槻 正志
日本電子株式会社
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Hossain M.
東大物性研
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Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
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宮田 亮
九大院理
著作論文
- 20pGL-8 Si(001)表面局在振動の低速電子線による非調和性を通じた励起と構造変換(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-35 低速電子線による低温Si(001)表面振動励起と回折強度時間依存性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
- 半導体表面に原子のゆらぎを見る
- 26aPS-27 Ge(001)表面の秩序-無秩序相転移に及ぼす欠陥の影響
- 29a-PS-43 Ge(001)表面のダイマー配列のモンテカルロシミュレーション
- 29a-PS-7 Si(001)表面C型欠陥近傍の時空揺らぎ
- 28a-YM-10 狭いSi(001)S_Bテラスと動的一次元イジングシステムの対応
- 28a-YM-5 Ge(001)表面の秩序・無秩序相転移のモンテカルロシミュレーション
- 27a-PS-13 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係II
- 2p-YD-3 狭いSi(001)S_Bテラス上の擬一次元的時空揺らぎ
- 31a-PS-16 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係
- 7a-PS-27 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響III
- 29a-PS-5 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響II
- 31p-PSB-31 Si(001)表面における相転移-LEEDは何を見ているか
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 30a-PS-12 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響
- 29a-J-4 Si(001)表面構造への欠陥配置の影響
- 29pPSB-24 電子励起されたSi(001)表面ダイマー系局在振動のFlipping運動への転換(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-50 低速電子線によるSi(001)表面ダイマー系の振動励起(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pWH-7 Theoretical Study of Dynamical Structure Transformation on Semiconductor Surface Excited by Tunneling Electrons(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
- 26pYC-7 大電流観測下でのGe(001)表面ダイマー系実効温度(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-8 Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける、温度効果の理論的研究(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-1 STM観測下における低温N型基板Si(001)表面のc(4×2)-p(2×2)構造相転移(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aXD-8 STM観測下のGe(001)表面ダイマー系構造変換とダイマー系モデルポテンシャル(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-8 分子吸着による Si(100)c(4×2) 相のピニング (1) : STM(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-8 低温Ge(001)表面ダイマー構造におけるTip Proximity Effect(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28pWP-6 STM観測下でのN型基盤Si(001)表面構造の温度依存性(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 23aYD-4 N-type Si(001) 表面の p(2×2)-c(4×2) 構造相転移
- 22pYE-7 2×1 構造が観測される機構
- 28aZF-3 STM 電流による Si(001) の振動励起
- 28aZF-2 相転移温度付近における Ge(001) 面の構造ゆらぎ
- 28aZF-1 Dynamical Monte Carlo Simulation による 70K における Si(001) 表面のゆらぎ
- 27pYQ-8 Si(001), Ge(001)表面の時間的空間的揺らぎ