成清 修 | 九大院理
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概要
関連著者
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成清 修
九大理
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成清 修
九大院理
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三宅 和正
阪大基礎工
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成清 修
阪大基礎工
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河合 伸
九大理
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九大院理
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三宅 和正
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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大西 祥史
Nec
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大阪大学大学院基礎工学研究科
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大阪大学大学院基礎工学研究科
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幡谷 昌彦
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三宅 和正
阪大 基礎工
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三宅 和正
阪大基礎研
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成清 修
阪大基礎研
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成清 修
阪大 基礎工
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辻 俊伸
阪大基礎工
著作論文
- 31a-X-5 Ce系圧力下超伝導における価数揺動機構
- 28a-PS-5 強相関系電子系に対する局在的自由度と遍歴的自由度の共存の可能性
- アンダーソンモデルに対するduality pictureの可能性
- 酸化物高温超伝導体のフォノンのTc以上での異常について
- 26pYC-7 大電流観測下でのGe(001)表面ダイマー系実効温度(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-8 Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける、温度効果の理論的研究(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-1 STM観測下における低温N型基板Si(001)表面のc(4×2)-p(2×2)構造相転移(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aXD-8 STM観測下のGe(001)表面ダイマー系構造変換とダイマー系モデルポテンシャル(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pWP-8 低温Ge(001)表面ダイマー構造におけるTip Proximity Effect(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28pWP-6 STM観測下でのN型基盤Si(001)表面構造の温度依存性(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 23aYD-4 N-type Si(001) 表面の p(2×2)-c(4×2) 構造相転移
- 28aZF-3 STM 電流による Si(001) の振動励起
- 31a-X-3 重い電子系の量子臨界点近傍における非フェルミ液体的性質
- 31a-G-11 銅酸化物におけるKohler則の破れ
- 3p-YJ-5 ネストした2次元スピンゆらぎと銅酸化物導体の異常
- 2p-Y-7 スピンゆらぎによる異常な電荷応答
- 4p-N-6 銅酸化物のスピンゆらぎとNMRの理論
- 28a-YH-7 銅酸化物に対するネストした2次元スピンゆらぎの理論
- 28a-YH-6 d_ペアの安定性 : U_と酸素間ホッピングt_pの効果
- 12p-PSA-1 スピンギャップから見た超伝導の対称性: d_xyペアの可能性