30pYB-8 Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける、温度効果の理論的研究(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 河合 伸

  九大理

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 吉本 芳英

  物性研

• 河合 伸

  九大院理

• 成清 修

  九大理

• 塙 洋祐

  九大院理

• 成清 修

  九大院理

関連論文

• 21pPSB-21 第一原理計算とマルチカノニカル法による金属系の研究(21pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 平尾公彦監修, 武次徹也著, すぐできる量子化学計算 ビギナーズマニュアル, 講談社サイエンティフィク, 東京, 2006, vii+230p, 21×15cm, 本体3,200円, [大学院向・専門書]
• 20pZA-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光II(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 30aPS-19 マルチカノニカル法と第一原理計算によるシリコンの非結晶状態の研究(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28pXH-2 第一原理からのCNDOモデルハミルトニアンの構築 : グラファイトへの応用(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
• 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態
• 31a-X-5 Ce系圧力下超伝導における価数揺動機構
• 20pGL-8 Si(001)表面局在振動の低速電子線による非調和性を通じた励起と構造変換(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-35 低速電子線による低温Si(001)表面振動励起と回折強度時間依存性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 格子歪が誘起する金属表面の電子状態変化
• 23pYC-4 格子歪によるCu(100)ショックレー状態の変化(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXJ-3 格子歪のある酸素吸着Cu(100)表面の光電子分光(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pXF-7 Cu(100)表面電子状態の応力依存性II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15pXE-9 Cu(100) 表面電子状態の応力依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
• 28aYF-8 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2およびκ-(BEDT-TTF)_2Cu_2(CN)_3の第一原理有効模型(28aYF κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTE-13 強相関電子系に対する第一原理計算: GW-based ab itnitio downfolding法の開発と実装(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24pTE-2 空間次元を縮約するための第一原理Downfolding法の開発 : LaFeAsOおよびκ-(BEDT-TTF)_2Xへの応用(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aXD-5 Single CI計算による固体の光学吸収スペクトル(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pTE-12 multi-order multi-thermal法とthermodynamic downfolding法によるMgOの液体結晶相転移(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24aPS-83 拡張アンサンブル法で見る一次相転移(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21aPS-62 マルチカノニカルアンサンブル分子動力学法で見る結晶構造相転移(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 20aPS-36 有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aXD-9 multi-order multi-thermal法による液体結晶相転移(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aYH-7 Ge(001)表面電子状態へのトンネルキャリアー注入による非局所構造変化(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第一原理計算による構造最適化とその周辺
• 28pYB-6 電極表面の吸着水分子の構造 : 有効遮蔽体法による第一原理計算(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
• 半導体表面に原子のゆらぎを見る
• 26aPS-27 Ge(001)表面の秩序-無秩序相転移に及ぼす欠陥の影響
• 29a-PS-43 Ge(001)表面のダイマー配列のモンテカルロシミュレーション
• 29a-PS-7 Si(001)表面C型欠陥近傍の時空揺らぎ
• 28a-YM-10 狭いSi(001)S_Bテラスと動的一次元イジングシステムの対応
• 28a-YM-5 Ge(001)表面の秩序・無秩序相転移のモンテカルロシミュレーション
• 27a-PS-13 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係II
• 2p-YD-3 狭いSi(001)S_Bテラス上の擬一次元的時空揺らぎ
• 31a-PS-16 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係
• 7a-PS-27 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響III
• 29a-PS-5 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響II
• 31p-PSB-31 Si(001)表面における相転移-LEEDは何を見ているか
• 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
• 30a-PS-12 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響
• 29a-J-4 Si(001)表面構造への欠陥配置の影響
• 28a-PS-5 強相関系電子系に対する局在的自由度と遍歴的自由度の共存の可能性
• アンダーソンモデルに対するduality pictureの可能性
• 酸化物高温超伝導体のフォノンのTc以上での異常について
• 29pPSB-24 電子励起されたSi(001)表面ダイマー系局在振動のFlipping運動への転換(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-50 低速電子線によるSi(001)表面ダイマー系の振動励起(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19pWH-7 Theoretical Study of Dynamical Structure Transformation on Semiconductor Surface Excited by Tunneling Electrons(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
• 26pYC-7 大電流観測下でのGe(001)表面ダイマー系実効温度(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYB-8 Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける、温度効果の理論的研究(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXC-1 STM観測下における低温N型基板Si(001)表面のc(4×2)-p(2×2)構造相転移(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25aXD-8 STM観測下のGe(001)表面ダイマー系構造変換とダイマー系モデルポテンシャル(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-8 分子吸着による Si(100)c(4×2) 相のピニング (1) : STM(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 28pWP-8 低温Ge(001)表面ダイマー構造におけるTip Proximity Effect(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 28pWP-6 STM観測下でのN型基盤Si(001)表面構造の温度依存性(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 23aYD-4 N-type Si(001) 表面の p(2×2)-c(4×2) 構造相転移
• 22pYE-7 2×1 構造が観測される機構
• 28aZF-3 STM 電流による Si(001) の振動励起
• 28aZF-2 相転移温度付近における Ge(001) 面の構造ゆらぎ
• 28aZF-1 Dynamical Monte Carlo Simulation による 70K における Si(001) 表面のゆらぎ
• 27pYQ-8 Si(001), Ge(001)表面の時間的空間的揺らぎ
• 27pYB-5 Ge(001)表面のトンネルキャリアー注入による構造変化II(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-6 境界移動で観測したGe(001)表面状態伝導の解析(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Ge(001)表面における表面構造の操作
• 25aXD-9 Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2), p(2×2)構造の境界の移動(II)(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-10 Ge(001) 清浄表面でのバイアス電圧パルスによる c(4×2), p(2×2) 構造の境界の移動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 25aXD-1 N/Cu(001)の表面歪みの理解におけるsurface stiffnessの必要性(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aPS-14 3d遷移金属のオンサイト有効クーロン相互作用の第一原理計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aPS-42 N/Cu(001) 自己組織化表面での狭い島間ギャップの生成理由(領域 9)
• 31a-X-3 重い電子系の量子臨界点近傍における非フェルミ液体的性質
• 31a-G-11 銅酸化物におけるKohler則の破れ
• 3p-YJ-5 ネストした2次元スピンゆらぎと銅酸化物導体の異常
• 2p-Y-7 スピンゆらぎによる異常な電荷応答
• 4p-N-6 銅酸化物のスピンゆらぎとNMRの理論
• 28a-YH-7 銅酸化物に対するネストした2次元スピンゆらぎの理論
• 28a-YH-6 d_ペアの安定性 : U_と酸素間ホッピングt_pの効果
• 12p-PSA-1 スピンギャップから見た超伝導の対称性: d_xyペアの可能性
• 25aPS-144 磁場下に於けるCeCoIn_5の熱電能係数への超伝導ゆらぎの影響(25aPS 領域8ポスターセッション(磁性(f電子系)1),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pPSA-64 熱力学的ダウンフォールディング法の水分子系への応用(22pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pTR-1 スピン液体EtMe_3Sb[Pd(dmit)_2]_2の第一原理有効模型導出 : 単一軌道および二軌道模型の比較(22pTR モット絶縁体・スピン液体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12a-E-2 電荷揺らぎによるd_xyペアの形成 : U_dpの効果
• 30a-S-11 マルチチャネル擬スピン近藤効果への伝導電子間斥力の効果
• 29pPSB-23 第一原理分子動力学計算でのmultibaric-multithermal法の利用(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aWD-9 Si(001)表面ダイマー系モデルポテンシャル(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク