15pXG-10 Ge(001) 清浄表面でのバイアス電圧パルスによる c(4×2), p(2×2) 構造の境界の移動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)

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概要

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• 2004-08-25

著者

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 高木 康多

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 高木 康多

  理化学研究所播磨研究所

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