吉本 芳英 | 東大物性研
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概要
関連著者
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吉本 芳英
東大物性研
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吉本 芳英
東京大学物性研究所
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吉本 芳英
東大物性研:(現)鳥取大工応数
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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高木 康多
東大物性研
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高木 康多
理化学研究所播磨研究所
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常行 真司
東大理
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中村 和磨
東大工
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中村 和磨
東大院工
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関場 大一郎
東京大学物性研究所
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中村 和磨
東大工:JST-CREST
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常行 真司
東大院理
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関場 大一郎
東大物性研
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今田 正俊
東京大学大学院工学系研究科
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小杉 太一
東大院理
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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今田 正俊
東大院工
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高木 康多
理研 SPring-8
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杉野 修
東大物性研
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有田 亮太郎
理研
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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塚田 捷
東京大学理学部
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中村 和磨
東大院理
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大谷 実
東大物性研:産総研計算科学
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常行 真司
東大物性研
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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大谷 実
東大物性研
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Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
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辛 埴
東大物性研
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草部 浩一
阪大基礎工
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原田 慈久
東大院工
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太田 俊明
東大理
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有田 亮太郎
東大工
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松村 大樹
原子力機構
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石川 哲也
理研 SPring-8
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高田 恭孝
理研 SPring-8
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竹内 智之
JASRI, SPring-8
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矢治 光一郎
京大院理:jst Crest
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赤木 和人
東北大WPI
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石川 哲也
理化学研究所
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河合 伸
九大理
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石川 哲也
独立行政法人理化学研究所播磨研究所
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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竹内 智之
理研 SPring-8
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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今田 正俊
東大工
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森川 良忠
阪大院工
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徳島 高
理研:spring8
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竹内 智之
Jasri Spring-8
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矢治 光一郎
東大物性研
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石川 哲也
理化学研究所放射光科学総合研究センター
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有田 亮太郎
東大理
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草部 浩一
阪大院基礎工
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雨宮 健太
東大理
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徳島 高
理研 Spring-8
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原田 慈久
理研 SPring-8
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富松 宏太
東大物性研
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濱田 幾太郎
東北大WPI-AIMR
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草部 浩一
新潟大自然
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雨宮 健太
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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関場 大一郎
東大生産研
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塚田 捷
東大理
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大野 真也
横国大
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有田 亮太郎
東大院理
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大谷 実
産総研
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土肥 俊介
東大物性研
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柳生 数馬
東大物性研
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大野 真也
東大物性研
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宮岡 秀治
東大物性研
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山田 正理
東大物性研
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松村 大樹
東大理
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山内 淳
(株)東芝研究開発センター
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宮岡 秀治
日立材料研
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太田 俊明
東大物性研
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赤木 和人
東大院理
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赤木 和人
東北大
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杉野 修
東京大学物性研究所
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池庄司 民夫
(独)産業技術総合研究所計算科学研究部門
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森川 良忠
JST-CREST
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塚田 捷
東大院理
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中村 美道
東京大学大学院工学系研究科
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杉野 修
日電マイクロ研
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丸山 正憲
新潟大自然
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柳生 数馬
東工大院理工
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小杉 太一
東大理
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草部 浩一
大阪大 大学院基礎工学研究科
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中島 紳伍
東大物性研
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太田 俊昭
東大理
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濱田 幾太郎
JST-CREST
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岡本 穏治
JST-CREST
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池庄司 民夫
JST-CREST
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河合 伸
九大院理
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嶋 洋亮
九大院理
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中村 美道
CREST
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杉野 修
東大 物性研
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中村 和磨
東大理
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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徳島 高
理化学研究所
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太田 俊明
立命館大学
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常行 直司
東大物性研
著作論文
- 21pPSB-21 第一原理計算とマルチカノニカル法による金属系の研究(21pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 平尾公彦監修, 武次徹也著, すぐできる量子化学計算 ビギナーズマニュアル, 講談社サイエンティフィク, 東京, 2006, vii+230p, 21×15cm, 本体3,200円, [大学院向・専門書]
- 20pZA-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光II(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 30aPS-19 マルチカノニカル法と第一原理計算によるシリコンの非結晶状態の研究(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28pXH-2 第一原理からのCNDOモデルハミルトニアンの構築 : グラファイトへの応用(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
- 30pZB-9 ジグザグ端改質法による磁気的ナノグラファイトと高スピン炭化水素の理論予測
- 23pYC-4 格子歪によるCu(100)ショックレー状態の変化(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXJ-3 格子歪のある酸素吸着Cu(100)表面の光電子分光(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pXF-7 Cu(100)表面電子状態の応力依存性II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15pXE-9 Cu(100) 表面電子状態の応力依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
- 28aYF-8 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2およびκ-(BEDT-TTF)_2Cu_2(CN)_3の第一原理有効模型(28aYF κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTE-13 強相関電子系に対する第一原理計算: GW-based ab itnitio downfolding法の開発と実装(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aXD-5 Single CI計算による固体の光学吸収スペクトル(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pTE-12 multi-order multi-thermal法とthermodynamic downfolding法によるMgOの液体結晶相転移(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 20aPS-36 有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aXD-9 multi-order multi-thermal法による液体結晶相転移(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aYH-7 Ge(001)表面電子状態へのトンネルキャリアー注入による非局所構造変化(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYB-6 電極表面の吸着水分子の構造 : 有効遮蔽体法による第一原理計算(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
- 27pYB-5 Ge(001)表面のトンネルキャリアー注入による構造変化II(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-6 境界移動で観測したGe(001)表面状態伝導の解析(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXD-9 Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2), p(2×2)構造の境界の移動(II)(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-10 Ge(001) 清浄表面でのバイアス電圧パルスによる c(4×2), p(2×2) 構造の境界の移動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 31aWD-7 STM による Ge(001) 清浄面の超構造制御
- 25aXD-1 N/Cu(001)の表面歪みの理解におけるsurface stiffnessの必要性(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aPS-14 3d遷移金属のオンサイト有効クーロン相互作用の第一原理計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 15aPS-42 N/Cu(001) 自己組織化表面での狭い島間ギャップの生成理由(領域 9)
- 20aPS-24 第一原理計算による吸着子の Cu(001) 表面の表面張力への影響の研究
- 29aWJ-12 前処理による金属等の電子状態計算の SCF iteration の加速
- 17aWD-6 Cu(100)-c(2×2)N表面におけるN原子間有効相互作用
- 24pPSA-21 Si(001)面3,4原子層目に点欠陥がある時のSTM像の計算
- 29pPSB-23 第一原理分子動力学計算でのmultibaric-multithermal法の利用(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pPSB-27 Cu(001)-c(2×2)N表面の第一原理計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))