26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2009-08-18

著者

• 松田 巌

  東大物性研

• 吉信 淳

  東大物性研

• 武市 泰男

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 西出 聡悟

  東大物性研

• 奥田 太一

  広大放射光セ

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 山上 浩志

  京産大院理

• 山上 浩志

  京都産業大理

• 近藤 寛

  慶応大理工

• BERTRAN F.

  SOLEIL/LURE

• FEVRE P.

  SOLEIL/LURE

• TALEB-IBRAHIMI A.

  SOLEIL/LURE

• 近藤 寛

  慶応大学

• 奥田 太一

  広島大学放射光科学研究センター

• 山上 浩志

  京都産業大

• 近藤 寛

  慶應義塾大学

• 松田 巌

  東大物性研究所

• 奥田 太一

  広大放射光セ・先端計測

• 奥田 太一

  広大放射光

関連論文

• 領域5「Elucidation of ultrafast dynamics on the nanoscale with the short wavelength sources」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
• 23aGP-9 水銀とシリコン基板に挟まれた自己組織化単層膜の赤外反射吸収分光(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGQ-6 高分解能スピン分解光電子分光によるFe/Pd(001)超薄膜の電子状態と磁性の研究(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGL-9 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGL-10 F4-TCNQ/Cu(100)の振動と電子状態(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTK-1 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 放射光と Laser の同期によるポンプ-プローブ時間分解光電子分光装置の開発
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
• 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-6 DBP-S/Cu(100)の吸着状態と配向変化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGV-1 Introduction(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
• 27aYG-11 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-8 2次元光電子バンドマッピングによるRashba系表面状態と量子井戸状態の相互作用の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-22 Si(111)-3×1-Ag表面上Au吸着に伴う√×√超構造の形成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ビスマス量子薄膜における表面状態による電気伝導
• 29pPSB-40 テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-4 Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXA-10 Pb超薄膜電気伝導度のbilayer振動 : バンド構造からの考察(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-3 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着状態とCH伸縮振動ソフトモード(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-8 Rh(111)表面における氷単層膜形成の微視的過程 : STM,IRASによる研究(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-10 水素原子で修飾したRh(111)表面における水分子の吸着(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
• 26a-YM-4 Pd(110)表面におけるエチレンの吸着状態(I) : 一次元鎖形成と分子配向
• 28pPSA-2 高速時間分解放射光光電子分光システムの開発(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22aXB-10 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-8 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究III(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aRL-6 水素終端Si(111)表面に吸着したF_4-TCNQの電荷移動と配向(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26a-YM-5 Pd(110)表面におけるエチレンの吸着状態(II) : 対称性と配向の被覆率依存性
• 23pWX-5 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aRL-5 表面赤外分光によるPt(997)表面におけるTTFの多様な電荷移動状態の観測(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF_4-TCNQの電子状態 : NEXAFSと内殻光電子分光による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYC-5 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Horiba-ISSP International Symposium on "Hydrogen and water in condensed matter physics"
• 25pZK-2 化学修飾半導体表面に吸着したアクセプター分子の電荷移動(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Pt(997)表面におけるNO分子の吸着状態と拡散過程
• 固体表面におけるアクセプター分子の電子状態と表面ドーピング
• 23aXA-11 Si(111)表面に化学吸着したアルキル分子単層膜の電気伝導特性と絶縁破壊(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRJ-5 N/Rh(111)表面でのNOダイマーの形成(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-4 エチレン終端Si(100)基板におけるF_4-TCNQのSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 極低温赤外反射吸収分光(IRAS)による固体表面における分子の吸着状態と表面拡散の研究
• シリコン表面における環化付加反応
• 21aXJ-9 Rh(111)における親水性・疎水性水単層上での氷成長(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 8a-B-1 Pd(110)に吸着した原子・分子のフェルミレベル近傍の電子状態 : クーパーミニマム領域の光電子分光
• 27aXJ-6 Si(100)非対称ダイマーへの不飽和炭化水素の環化付加反応 : マルコフニコフ則は成り立つのか?(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pXD-11 Si(100)における単一有機分子のSTS : 負性微分抵抗の観測(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22aXK-8 エチレン終端Si(100)基板とF_4-TCNQの相互作用 : △Φと価電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-11 Rh(111)における水分子の付着確率と脱離キネティクス(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYH-9 極低温Rh(111)における水分子の過渡的表面拡散とダイマー形成(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pYC-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF4-TCNQの電子状態(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-11 Si(100)c(4x2)表面における有機アミンの吸着状態 : 光電子分光による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31p-S-2 物理吸着分子と化学吸着分子の相互作用 : N_2/Pd(110)
• 21pXF-6 Rh(111)表面における水単分子層の構造(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXD-7 Rh(111)表面に成長させた氷薄膜の電子線誘起による結晶化(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-1 軟 X 線発光分光法による SiO_2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測(表面界面電子物性, 領域 9)
• 12aXF-13 低温 Rh(111) 表面における水分子の凝集過程 : 赤外反射吸収分光法による研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYE-1 Ice/CO/Rh (111) における CO の吸着状態と電子線照射効果
• 31aWD-3 高分解能内殻光電子分光法を用いた Si(100) 表面の基底状態の研究
• 19pPSB-17 高分解能Si2p光電子分光による低温Si(100)(2x1)表面の電子状態
• 19aTF-11 Si(100)(2xl)非対称ダイマーへのCOのサイト選択的吸着 : Si Zp高分解能光電子分光による研究
• 領域5「Concerting researches of real space observations by STM/STS and reciprocal space measurements by High-Resolution ARPES」(2008年秋季大会シンポジウムの報告)
• 26aHC-6 レーザーポンプ-放射光プローブによる軟X線時間分解角度分解光電子分光装置の開発(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pTC-9 Bi_Sb_x(111)表面における準粒子干渉の走査トンネル分光測定(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pPSB-35 水素吸着によるSrTiO_3(001)表面金属化の研究(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-15 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-5 Co吸着Bi_Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-14 Si(111)√×√-Inの表面電子構造とキャリアダイナミクス(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-48 酸化物半導体表面におけるキャリアダイナミクス : 時間分解軟X線光電子分光法による研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-23 In/Si(111)表面における表面光起電力効果の緩和機構 : 時間分解軟X線光電子分光法による研究(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク