28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
田中 悟
九大院工
-
中辻 寛
東大物性研
-
小森 文夫
東大物性研
-
森田 康平
九大院工
-
水野 清義
九大院総理工
-
チェンダ スレイ
九大院工
-
萩原 好人
九大院工
-
林 賢二郎
九大院総理工
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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