SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-06-10
著者
-
田中 悟
九大院工
-
森田 康平
九大院工
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
-
田中 悟
九州大学大学院工学研究院
-
森田 康平
九州大学大学院工学研究院
関連論文
- 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGV-3 SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェンの形成と評価(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pGP-1 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析(21pGP 領域7,領域9合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-11 自己形成SiC表面ナノファセットの規則化距離(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 5p-C-4 (TMTSF)_2ClO_4の24K転移の圧力依存性
- 5a-C-14 (TMTSF)_2ClO_4の強磁場ホール抵抗と短周期振動
- 5a-C-13 (TMTSF)_2PF_6のSDW状態と短周期振動
- 25aQA-3 低アスペクト比RFPプラズマの研究(25aQA 核融合プラズマ(磁場閉じ込め核融合(その他)),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 27aUC-3 純電子プラズマ中へのチタンワッシャープラズマの入射実験II : 蛍光膜を用いた二次元プラズマ粒子密度分布計測の開発と誘導電荷による非中性プラズマダイナミクスの非接触診断(27aUC プラズマ基礎(輸送・加熱・加速),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 5a-C-12 (TMTSF)_2X(X=AsF_6, PF_6)のSDW状態でのc軸抵抗とカイラル状態
- 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン
- ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- Si双晶超格子の作製--新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- LEEDとRHEED
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 24aPS-69 Ols光電子およびO KLL Auger電子回折とO K-edge XANESによるSiON/SiC(0001)原子構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 28p-WB-3 Si(111)表面でのSi、Pb原子の置換現象のSTM観察
- 14a-DH-13 Si(111)表面でのGe固相成長過程のSTM観察
- 29p-H-6 微傾斜Si(111)表面でのステップ三重化転移の高温STM観察
- グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
- SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長 (第30回表面科学学術講演会特集号(1))
- SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
- SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
- 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aTA-6 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTH-3 SiC上酸窒化膜のO-K edgeサイト別XANESによる電子状態の研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-1 グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHA-7 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
- 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pPSB-15 グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-4 グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観察(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pPSB-34 表面X線回折法によるSiC(000-1)上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-38 エピタキシャルグラフェンにおけるDバンド,Gバンドラマン分光特性(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pFB-2 微傾斜SiC上グラフェンの低温磁気輸送(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXT-8 SiC上エピタキシャルグラフェンの量子テラヘルツファラデー回転・カー回転(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXT-7 SiC上成長エピタキシャルグラフェンにおけるプラトー間遷移(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-26 SiC(0001)上のグラフェン成長過程におけるC-rich(√3x√3)R30°の構造解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pDK-11 SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 29pPSA-27 単層グラフェンの量子ファラデー回転角における面積充填率の影響(29pPSA 領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))