SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバッファ層として機能すること、新しいグラフェンシートはバッファ層とSiC基板表面の界面から成長する界面成長であることが明らかになった。また、SiC(0001)面上のグラフェン島は、Si脱離とC吸着の協調によるSi置換Cの凝乗物形成により、埋め込まれた構造を取り得ることがわかった。
- 2011-06-27
著者
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
山口 浩司
Ntt物性基礎研
-
山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
山口 浩司
三菱重工業(株)
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
-
永瀬 雅夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
山口 浩司
根室市立病院外科
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