26pTH-3 SiC上酸窒化膜のO-K edgeサイト別XANESによる電子状態の研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 田中 悟

  九大院工

• 松井 文彦

  奈良先端大物質創成

• 前島 尚行

  奈良先端大物質

• 松井 公佑

  奈良先端大物質

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質

• 田中 悟

  九大工

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 前島 尚行

  奈良先端大物質創成:jasri Spring-8

• 松下 智裕

  Jasri

• 松下 智裕

  (財)高輝度光科学研究センター

• 大門 寛

  奈良先端大

• 後藤 謙太郎

  奈良先端大物質創成

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質創成

• 松井 公佑

  奈良先端大物質創成

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

• 後藤 謙太郎

  奈良先端大

• 前島 尚行

  奈良先端大

• 橋本 美絵

  奈良先端大

• 松井 公佑

  奈良先端大

• 松下 智裕

  財団法人高輝度光科学研究センター 制御・情報部門

• 松下 智裕

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 松井 文彦

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 後藤 健太郎

  奈良先端大物質

• 松下 智裕

  JASRI-SPring-8

• 松下 智裕

  SPring-8/JASRI

• 松井 文彦

  奈良先端大

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