橋本 美絵 | 奈良先端大物質創成
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概要
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橋本 美絵
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奈良先端大
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奈良先端大物質
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名古屋大学工学部
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原子力機構・先端基礎研
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奈良先端大物質創成
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奈良先端大
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奈良先端大
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奈良先端大物質
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奈良先端大物質創成
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奈良先端大物質
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松下 智裕
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奈良先端大
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奈良先端大物質
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Jasri
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郭 方准
高輝度光科学研究センター
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松下 智裕
財団法人高輝度光科学研究センター
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奈良先端大
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武田 さくら
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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JASRI SPring-8
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清水 達也
奈良先端大物質創成
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森田 誠
奈良先端大物質創成
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中川 幸子
岡山理科大学 理学研究科
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森田 誠
奈良先端大・物質創成
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田中 悟
九大院工
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田中 悟
九大工
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松岡 弘憲
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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田畑 裕貴
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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波田 恭宏
岡山理科大学大学院理学研究科
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田畑 裕貴
奈良先端大物質創成
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松岡 弘憲
奈良先端大物質創成
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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深谷 有喜
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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松田 巌
東大物性研
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田中 攻
奈良先端大物質創成
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岡本 武志
阪大院工
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服部 梓
阪大院工
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佐野 泰久
阪大院工
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山内 和人
阪大院工
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酒井 智香子
物材機構
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成田 尚司
東大物性研
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松田 博之
Crest-jst
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山内 和人
大阪大学大学院工学研究科
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山中 佑一郎
奈良先端大物質創成
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Toth Laszlo
Crest-jst
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Toth Laszlo
Universite De Metz
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大阪大 大学院工学研究科
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原研
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Yamamura K
Kyoto Univ. Kyoto
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酒井 智香子
奈良先端大
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服部 賢
奈良先端大物質
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Yamauchi Kazuto
Department Of Precision Science And Technology Graduate School Of Engineering Osaka University
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山内 和人
阪大工
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嘉数 智之
岡理大・理
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松田 博之
奈良先端大物質創成
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野尻 秀夫
奈良先端大物質創成
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Thome L.
Csnsm In2p3-cnrs
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Thome L
Csnsm
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松下 智裕
公益財団法人高輝度光科学研究センター(jasri)
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生天目 博文
広大放射光セ
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木村 昭夫
広大理
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谷口 雅樹
広大放射光セ
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松本 拓
奈良先端大物質創成
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加藤 有香子
SPring-8, JASRI
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木村 雅仁
阪大基礎工
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谷口 雅樹
広大理
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木村 昭夫
広大院理
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奥田 太一
広大放射光セ
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高橋 伸明
J-PARCセンター
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宮本 幸治
広大放セ
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宮本 幸治
広大放射光セ
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生天目 博文
広大放射光
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大門 寛
奈良先端大物質創成:crest-jst
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小池 潤一郎
奈良先端大物質創成
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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今村 健
半導体理工学研究センター
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中野 晃太郎
奈良先端科学技術大学院大学
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武田 さくら
奈良先端科学技術大学院大学
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大西 洋平
奈良先端科学技術大学院大学
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山中 佑一郎
奈良先端科学技術大学院大学
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橋本 美絵
奈良先端科学技術大学院大学
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山中 祐一郎
奈良先端大物質創成
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服部 賢
奈良先端大物質創成
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中野 禅
産業技術総合研究所
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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岩木 正哉
理化学研究所
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中川 幸子
岡山理科大学
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高橋 伸明
奈良先端大物質創成
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松井 文彦
JST-CREST
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出野 卓
奈良先端大・物質創成
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茂内 晋
奈良先端大・物質創成
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大門 寛
JST-CREST
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林 和也
岡山理大理
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中川 幸子
岡山理大理
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安井 伸太郎
奈良先端大物質創成
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中川 幸子
岡理大・理
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小木曽 久人
産業技術総合研究所
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Namatame H.
Hsrc Hiroshima Univ.
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林 和也
岡理大・理
-
橋本 美絵
岡理大・理
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茂内 晋
奈良先端大・物質
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出野 卓
奈良先端大
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松下 智裕
CREST-JST
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小木曽 久人
(独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ
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中野 禅
工業技術院機械技術研究所
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郭 方准
CREST-JST
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郭 方准
SPring-8
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及川 雅樹
岡山理科大学・院
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奈良先端大院物質創成
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島 和也
奈良先端大物質創成
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橋本 美絵
岡山理科大理学部
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嘉数 智之
岡山理科大理学部
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波田 恭宏
岡山理科大理学部
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小木曽 久人
工業技術院
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Eckstein W
Max-Planck Institut
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宮原 寛和
広大院理
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今村 健
(株)半導体理工学研究センター
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Namatame Hirofumi
Department Of Materials Science Facalty Of Science Hiroshima University
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安井 伸太郎
奈良先端化学技術大学院大学
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橋本 美絵
奈良先端化学技術大学院大学
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島 和也
奈良先端化学技術大学院大学
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武田 さくら
奈良先端化学技術大学院大学
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大門 寛
奈良先端化学技術大学院大学
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Nakatake M.
Hsrc Hiroshima Univ.
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谷口 雅樹
広大放射光:広大院理
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岩木 正哉
理化学研究所 表面解析室
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吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
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谷口 雅樹
広大院理:hisor
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波田 恭宏
岡理大院理
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橋本 美絵
岡理大院理
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中川 幸子
岡理大院理
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波田 恭宏
岡山理大理
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及川 雅樹
岡山理大理
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橋本 美絵
岡山理大理
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吉丸 正樹
半導体理工学センター
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松田 巌
東大物性研究所
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赤田 修一
奈良先端大物質創成
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龍田 剛
奈良先端大物質創成
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宮井 俊輝
奈良先端大物質創成
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宮本 幸治
HSRC, Hiroshima Univ.
-
奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
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奥田 太一
広大放射光
-
谷口 雅樹
広大放射光
-
宮本 幸治
広大放射光
著作論文
- 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-5 SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-4 光電子回折リングにおける円二色性の解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-4 Si(111)-√×√-Ga表面における円二色性光電子回折リングの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-32 Pb初期吸着過程におけるSi(111)表面構造変化のリアルタイムモニタリング(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-6 Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25pTE-11 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属-絶縁体転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aRJ-4 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-2 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-8 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-9 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYH-5 二次元XAFS/XMCD法によるNi薄膜の原子分解電子磁気構造解析(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-23 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYH-5 二次元XAFS/XMCD法によるNi薄膜の原子分解電子磁気構造解析(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pXF-13 二次元光電子分光によるSi(111)√×√-Ag表面の表面準位の光電子放出角度分布とバンド構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYL-7 高線量のBイオンをSiに注入した場合のB_の凝集について
- 27aYB-3 二次元光電子分光とcite選択的XAFS測定(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-33 光電子回折リングにおける円二色性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-36 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pRE-11 円偏光二次元光電子回折による1T-TaS_2の価電子帯の軌道角運動量解析(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 23aWS-4 Si(111)-√×√-Sn,-Pb表面の円偏光光電子回折リングの解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-45 高分解能角度分解光鷺子分光によるGe(110)表面の電子状態の観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-5 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-24 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造相転移の研究II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYL-9 高エネルギーイオン注入によるAu-Si注入層の理論解析(II)
- 24aPS-69 Ols光電子およびO KLL Auger電子回折とO K-edge XANESによるSiON/SiC(0001)原子構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-3 二次電子角度分布に現れる内殻光電子回折のネガパターン(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-102 Display-type Ellipsoidal Mesh Analyzerの開発I(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 24aPS-128 アルカリ金属吸着Si(111)-(3×1)表面形成過程の表面電気伝導度(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20pXA-7 Si(111)√×√-Ag表面のHCT-IET相転移(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aWP-5 RHEEDによるSi(111)√×√-Ag,-Ga表面の原子振動解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28pPSB-20 微小電極を用いた表面電気伝導度測定
- 19pPS8-49 RHEEDによるGa/Si(111)表面の原子振動解析
- 25aTH-2 高分解能角度分解光電子分光によるPb/Ge(110)表面における電子状態の観測(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHB-2 Fe L_3吸収端での円偏光二次元光電子・Auger電子回折(28aHB 放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光(強相関係・スピン分解・理論等),領域5(光物性))
- 25aTH-7 楕円メッシュ顕微高エネルギー二次元光電子分光器の開発(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aB-13 イオン分布の横分散に現れる結晶性
- 25p-J-10 結晶中へ注入されたイオンの横方向分散と電子的阻止能の関係
- 26pTH-3 SiC上酸窒化膜のO-K edgeサイト別XANESによる電子状態の研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aTN-6 Fe L_3吸収端での円偏光二次元光電子・Auger電子回折・II(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
- 20aPS-45 RHEED による Si(001) 表面の原子振動解析
- 6pPSB-52 RHEEDによる金属吸着Si(111)表面の原子振動III(表面界面結晶成長,領域9)