深谷 有喜 | (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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概要
関連著者
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深谷 有喜
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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河裾 厚男
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構
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深谷 有喜
原子力機構先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構・先端基礎研
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深谷 有喜
原子力機構・先端基礎研センター
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河裾 厚男
原子力機構 先端基礎研
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望月 出海
原子力機構先端基礎研
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望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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阪大工
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日本原子力研究所高崎研究所
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前川 雅樹
原研 高崎研
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一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
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前川 雅樹
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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一宮 彪彦
名大工
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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河裾 厚男
東北大・金研
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前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
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Kawasuso A.
東北大金研
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前川 雅樹
日本原子力研究所高崎研究所
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深谷 有喜
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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一宮 彪彦
名古屋大学
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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深谷 有喜
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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薮内 敦
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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望月 出海
原子力機構・先端基礎研センター
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奈良先端大物質創成
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橋本 美絵
原子力機構先端基礎研
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日本原子力研究所・高崎
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
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松田 巌
東大物性研
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薮内 敦
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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松田 巌
東大物性研究所
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藪内 敦
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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一宮 彪彦
日本女子大学理学部
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松田 巌
東大理
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藪内 敦
原子力機構・先端基礎研
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城戸 望
日本女子大理
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城戸 望
日本女子大学理学研究科
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河裾 厚男
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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薮内 敦
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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望月 出海
日本原子力研究開発機構先端基礎研
著作論文
- 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-5 反射高速陽電子回折によるアルカリ金属吸着Si(111)-√×√-B表面の相転移の研究(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRD-4 反射高速陽電子回折による表面相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-6 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面の一次元原子鎖の構造解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pWL-3 スピン偏極陽電子と磁性電子の対消滅過程(23pWL 実験技術・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aHE-2 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究について(26aHE 磁性一般・測定技術開発・フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pTG-8 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面相転移に伴う構造変化の解析(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pTN-3 高スピン偏極陽電子線源の開発と低速陽電子ビーム発生(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pTG-9 反射高速陽電子回折による最表面構造に関する研究(26pTG 領域9若手奨励賞受賞記念講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-8 反射高速陽電子回折による歪み導入Sn/Ge(111)表面の構造解析(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-15 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pRC-4 反射高速陽電子回折による最表面構造に関する研究(24pRC 領域9若手奨励賞受賞記念講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGH-5 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究(21aGH 実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pEB-1 高スピン偏極低速陽電子ビームの開発と磁性体材料への応用(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pAF-14 スピン偏極陽電子消滅の基礎構築 : 希土類磁性体について(25pAF 酸化物磁性・化合物磁性・実験技術,領域3(磁性,磁気共鳴))