河裾 厚男 | 日本原子力研究開発機構先端基礎研

スポンサーリンク

概要

• 河裾 厚男の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本原子力研究開発機構先端基礎研の論文著者

関連著者

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構

• 前川 雅樹

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 前川 雅樹

  日本原子力研究開発機構 先端基礎研

• 河裾 厚男

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 前川 雅樹

  原子力機構・先端基礎研

• 河裾 厚男

  原子力機構・先端基礎研

• 前川 雅樹

  原研 高崎研

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 深谷 有喜

  日本原子力研究所先端基礎研究センター

• 一宮 彪彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前川 雅樹

  日本原子力研究所高崎研究所

• 深谷 有喜

  原子力機構先端基礎研

• 一宮 彪彦

  原子力機構先端基礎研

• 薮内 敦

  阪大工

• 林 和彦

  原研先端基礎研

• 藪内 敦

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 林 和彦

  日本原子力研究所先端基礎研究センター

• 一宮 彪彦

  名大工

• 藪内 敦

  原子力機構・先端基礎研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所・高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 一宮 彪彦

  名古屋大学

• 河裾 厚男

  原子力機構先端基礎研

• 前川 雅樹

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 一宮 彪彦

  日本原子力研究所先端基礎研究センター

• 石本 貴幸

  日本原子力研究所先端基礎研究センター

• 石本 貴幸

  原研先端研

• 河裾 厚男

  東北大・金研

• 一宮 彪彦

  名古屋大学工学部

• 望月 出海

  原子力機構先端基礎研

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 望月 出海

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 相原 純

  日本原子力研究開発機構原子力基礎工

• 末澤 正志

  東北大金研

• 一宮 彪彦

  日本女子大学理学部

• 本田 達也

  東北大金研

• 相原 純

  日本原子力研究所核熱利用研究部

• 須永 博美

  日本原子力研究所 高崎研究所

• 益野 真一

  日本原子力研究所高崎研究所

• 須永 博美

  日本原子力研究所高崎研究所

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所高崎研究所

• 平出 哲也

  日本原子力研究開発機構原子力基礎工

• 三輪 幸雄

  日本原子力研究開発機構原子力基礎工

• Tap Tran

  日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 平出 哲也

  日本原子力研究所 物質科学研究部

• 薮内 敦

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 深谷 有喜

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター

• 深谷 有喜

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 張 宏俊

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

もっと見る 閉じる

著作論文

• 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
• 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
• 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 反射高速陽電子回折による表面研究
• 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
• 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
• 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
• 陽電子利用研究の展望
• 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
• 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
• 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
• 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRE-9 高機能型陽電子マイクロビーム装置の開発(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 18pXK-5 陽電子ビームを用いた物性研究の新たな展開(シンポジウム 光・粒子ビームで観る・創る-放射線物性の新展開-,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25aAB-7 高スピン偏極低速陽電子ビームによる高磁場下陽電子消滅測定(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 19pAJ-1 高スピン偏極陽電子源を用いた低速陽電子ビームの偏極率評価(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク