米永 一郎 | 東北大金研

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概要

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• 東北大金研の論文著者

関連著者

• 米永 一郎

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 大野 裕

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 太子 敏則

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大・金研

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室

• 大野 裕

  阪大院理

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• 鈴木 敬愛

  東大生研

• 上村 祥史

  東大生研

• 上村 祥史

  東大生産研

• 枝川 圭一

  東大生産研

• 末澤 正志

  東北大金研

• 枝川 圭一

  東大生研

• 八百 隆文

  東北大学際セ

• 岩佐 泉

  富士ゼロックス(株)

• 中島 哲夫

  高エネ研

• 八百 隆文

  東北大金研

• 角野 浩二

  東北大・金研

• 高橋 弘紀

  東北大金研

• 中村 浩章

  核融合研

• 鈴木 敬愛

  東理大

• 小泉 晴比古

  東北大金研

• 小泉 晴比古

  東北大・金研

• 角野 浩二

  東北大金研

• 井上 耕治

  東北大金研

• 永井 康介

  東北大金研

• 西谷 滋人

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 中島 哲夫

  高エ研

• 太田 丈児

  東大生研

• 中島 哲夫

  高エ研放射光

• 村尾 優

  東北大学金属材料研究所

• 山口 作太郎

  核融合研

• 小泉 大一

  明大理工

• 末沢 正志

  東北大金研

• 高見澤 悠

  東北大金研

• 大澤 隆亮

  東北大金研

• 角野 浩二

  新日鐵・技術開発

• 末澤 正志

  東北大・金研

• 徳岡 輝和

  東大生研

• 長谷川 裕記

  海洋研究開発機構地球シミュレータセンター

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• 高槻 淳

  東大生研

• 佐藤 元泰

  核融合科学研究所

• 長谷川 雅幸

  東北大金研

• 高橋 弘紀

  東北大学 金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター

• 櫻井 雅樹

  東北大金研

• 西谷 滋人

  関西学院大理工

• 竹田 精治

  阪大理物

• 井上 耕治

  京大院工

• 井上 耕治

  東北大 金属材料研

• 奥村 晴彦

  三重大

• 黒田 光太郎

  名古屋大学工学部

• 伊勢 秀彰

  東北大金研

• 太子 敏則

  東北大学金属材料研究所

• 鈴木 治彦

  金沢大理

• 御手洗 容子

  物質・材料研究機構材料ラボ 白金族金属研究グループ

• 後藤 裕輝

  東北大金研:東北大学際セ

• 三宅 秀人

  三重大工

• 中島 哲夫

  KEK-PF

• 池田 一昭

  理研

• 奥山 智明

  東北大 金研

• 山本 洋佑

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 竹田 精治

  阪大理学研究科

• 黒田 光太郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 黒田 光太郎

  名大工

• 御手洗 容子

  独立行政法人物質・材料研究機構

• 藤井 克司

  東北大金研

• 今野 豊彦

  大阪府立大学 大学院工学研究科

• 浜辺 誠

  中部大

• 御手洗 容子

  物質・材料研究機構

• 磯部 光孝

  核融合科学研究所

• 和田 元

  同志社大院工

• 嶋田 隆一

  東工大・原子炉研

• 嶋田 隆一

  東工大原子炉研

• 竹内 伸

  東理大理工

• 林 好一

  東北大金研

• 奥田 浩司

  北大院理

• 枝川 圭一

  東京大学生産技術研究所

• 横山 卓史

  東大生研

• 大岩 弘和

  東大生研

• 河野 賢太郎

  東大生産研

• 柳 長門

  核融合研

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 松井 景樹

  中部大学

• 八坂 保能

  神戸大学大学院工学研究科

• 村上 定義

  京大工

• 村上 定義

  核融合科学研究所

• 松岡 啓介

  核融合科学研究所

• 増崎 貴

  核融合科学研究所

• 金子 修

  核融合科学研究所

• 小森 彰夫

  核融合科学研究所

• 須藤 滋

  核融合科学研究所

• 竹入 康彦

  核融合科学研究所

• 大藪 修義

  核融合科学研究所

• 中村 幸男

  核融合研

• 中村 幸男

  核融合科学研究所

• 野田 信明

  核融合科学研究所

• 坂本 隆一

  核融合科学研究所

• 山口 作太郎

  核融合科学研究所

• 本島 修

  核融合科学研究所

• 林 好一

  東北大学金属材料研究所

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 原田 博文

  東北大金研

• 今井 正人

  東北大金研

• 福田 承生

  東北大金研

• 野田 信明

  National Institute for Fusion Science

• 福田 承生

  東北大・金研

• 佐藤 哲也

  海洋研究開発機構地球シミュレータセンター

• 佐藤 哲也

  核融合科学研究所

• 戸賀瀬 健介

  関西学院大理工

• 武内 伴照

  東北大金研

• 唐 政

  華東師範大学

• 唐 政

  東北大金研

• 今井 賢

  東北大金研

• 大窪 秀明

  東北大金研

• 河本 邦仁

  名大院工

• 河本 邦仁

  名古屋大学大学院工学研究科

• 松村 年郎

  名古屋大学 大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 奥村 晴彦

  松阪大学

• 奥村 晴彦

  三重大学教育学部

• 奥村 晴彦

  三重大学

• 藤原 正巳

  核融合科学研究所

• 山本 勇

  中部大学

• Vanhellemont Jan

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• 長谷川 靖洋

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 長谷川 靖洋

  埼玉大

• 中嶋 一雄

  東北大金研

• 澤田 圭司

  信州大工

• 今井 正人

  小松電子金属

• 桜井 雅樹

  東北大金研

• 須藤 滋

  核融合研

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 中島 哲夫

  高エネルギー物理学研究所

• 赤石 憲也

  核融合研

• 佐藤 元泰

  核融合研

• 飯吉 厚夫

  中部大学

• 飯吉 厚夫

  中部大

• 干川 圭吾

  信州大学

• 渡邊 二太

  核融合研

• 中村 浩章

  核融合科学研究所シミュレーション科学研究部

• 星野 勉

  明星大

• 藤原 正巳

  核融合研

• 表 和彦

  リガク

• 中村 圭二

  中部大学

• 本田 達也

  東北大金研

• 赤石 憲也

  核融合科学研究所

• 竹田 精治

  阪大院理

• 末沢 正志

  東北大 金研

• 米永 一郎

  東北大 金研

• 角野 浩二

  東北大 金研

• 奥山 智明

  東北大金研

• 蓑和 恭子

  東北大金研

• 河野 日出夫

  阪大院理

• 野上 隆文

  阪大院理

• 柳 長門

  京大ヘリオトロン

• 八坂 保能

  京都大学工学部

• 八坂 保能

  京都大学大学院工学研究科

• Hayashi Kenshi

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Kyushu University

• 進藤 大輔

  東北大学素材工学研究所

• 進藤 大輔

  東北大素材研

• 浜辺 誠

  中部大学

• 山口 作太郎

  中部大学

• 川村 邦明

  前川製作所

• 中村 圭二

  中部大学工学部

• 林 隆也

  核融合科学研究所

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 林 浩己

  核融合研

• 嶋田 隆一

  東京工業大学 統合研究院ソリューション研究機構

• 中村 圭二

  中部大

• 水野 英二

  中部大

• 山田 公夫

  中部大

• 二ノ宮 晃

  成蹊大

• 星野 勉

  京都大

• 河端 良和

  JFEスチール

• 林 浩己

  核融合科学研究所

• 富田 幸博

  核融合科学研究所

• 久保田 雄輔

  核融合科学研究所

• 笹尾 眞貴子

  核融合科学研究所

• 渡邊 二太

  核融合科学研究所

• 徐 元暮

  名古屋大

• 長谷川 靖洋

  イオン工研

• 丹治 〓典

  航空宇宙技研

• 中澤 崇

  同志社大

• 近藤 成仁

  東芝

• 佐藤 元泰

  National Institute For Fusion Science

• 藤原 航三

  東北大金研

• 和田 元

  同志社大.工

• 伊藤 俊

  東北大学金属材料研究所

• 星野 勉

  明星大学

• 澤田 圭司

  信州大学

• Takeda Shingo

  Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.

• 干川 圭吾

  信州大学教育学部

• 松村 年郎

  名古屋大学

• 伊藤 俊

  東北大金研

• 藤原 航三

  東北大学金属材料研究所

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著作論文

• 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pWA-12 GaN中転位の電気伝導(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pTA-10 塑性変形したGaNの電気的及び光学的性質(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-6 塑性変形したGaPの電気伝導(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 2p-C-9 シリコン結晶中の転位挙動に対する固溶効果
• 27pVE-9 東北大学女性研究者支援モデル育成事業におけるサイエンス・エンジェル活動(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aRB-3 陽電子消滅法による低温電子線照射したSi-Ge単結晶中の空孔型欠陥の回復挙動(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 1p-M-8 GeSiの強度特性
• 28p-P-11 変形したシリコン結晶中からのD-バンド発光と遷移金属汚染
• 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
• 直流超電導送電システムの検討
• 25aB14 LHDにおける直接エネルギー変換 : 熱電変換の検討-2(プラズマ基礎/炉設計)
• Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
• 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• ネルンスト・ゼーベック効果素子の形状効果 (強磁場下の物性の研究)
• 強磁場下における半導体中の転位・不純物反応 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 強磁場下における半導体中の転位・不純物反応--磁場中その場観察実験装置による解明 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 強磁場下における半導体中の転位の運動--酸素不純物の磁場中での拡散に関する検討 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 強磁場下における半導体中の転移の運動 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 20aXB-2 シリコンウェハーの大ひずみ量塑性変形(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 31pYG-1 陽電子消滅 2 次元角相関法による Si 中性複空孔のヤン・テラー効果の研究
• 20aXB-8 GaNの光吸収端の塑性変形による変化(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aYN-1 III-V族化合物半導体の塑性変形による光吸収スペクトルの変化(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYM-11 III-V族化合物半導体の光学スペクトルの塑性変形による変化(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27aYM-10 III-V族化合物半導体中転位の電子線ホログラフィー(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 12a-DK-6 固体ヘリウム4のサブ・バウンダリ構造
• 28p-K-5 超低温におけるSR-X線トポグラフィーによる固体ヘリウムの格子欠陥の研究II.自動撮影装置
• 28p-K-4 超低温におけるSRX線トポグラフィによる固体ヘリウムの格子欠陥の研究I.計画と経過の概要
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 27pXT-8 塑性変形したGaN結晶中の転位とphotoluminescence特性(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
• 26a-YE-11 常温付近での磁場中のGeおよびSiのネルンスト係数の理論計算
• 2a-YJ-13 強磁場中におけるSiのネルンスト係数および熱電能
• 2a-YJ-12 強磁場中におけるGeのネルンスト係数および熱電能
• 2a-YJ-11 常温付近での磁場中の輸送係数の理論計算
• 27p-ZN-13 BCC^3Heの格子欠陥形成と回復過程の観察
• 28p-K-6 超低温におけるSR-X線トポグラフィーによる固体ヘリウムの格子欠陥の研究III.固体ヘリウム結晶の作成と回転機構
• 4p-A3-5 X線トポグラフィによる固体ヘリウム中の転位の観察
• 蛍光X線ホログラフィーによるイメージング
• 29aA15 LE-VB法によるInp単結晶の作成と転位の評価(融液成長V)
• 30p-YK-9 GaAs, InSbの低温塑性
• 26aYK-6 ZnSe結晶中の転位の動特性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYL-14 Siの中低温における圧縮試験
• 男女共同参画学協会連絡会アンケｰト結果速報
• ｢男女共同参画社会に向けて｣企画にあたって
• 6a-S-4 Si-Ge混晶の電子線低温照射欠陥
• 30p-E-8 Si-Ge混晶における電子線照射欠陥
• 28p-ZA-4 低温変形した半導体中の転位
• 27a-T-11 低温変形したGaAs中の転位のTEM観察
• 29aA14 μ-PD法によるLiNbO_3マイクロ単結晶作成と結晶性評価(融液成長V)
• 強磁場下における半導体中の転位の運動 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 強磁場下における半導体中の転位・不純物反応 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 2006年秋季(期)大会 日本鉄鋼協会・日本金属学会共同開催シンポジウム「男女共同参画活動の取り組み-魅力ある職場組織作り」報告
• 28pXD-1 SiGe固溶体の局所構造とひずみ緩和(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYM-10 シリコン中の転位・酸素不純物反応への強磁場効果(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 東北大学における男女共同参画推進の取り組み
• 29pYE-5 GeSi 全率固溶体の結晶育成における過冷却と結晶性
• 29pYE-5 GeSi 全率固溶体の結晶育成における過冷却と結晶性
• ラップトッププレゼンテーションの憂鬱(パソコンとビデオプロジェクターを利用した発表について思うこと)
• 24pYL-13 半導体結晶の硬度特性とその評価
• 30p-J-7 Si中の転位の電気的性質
• III. 半導体, セラミックスの欠陥構造 GaAs中のZ型フォールテッドダイポールの格子歪の定量評価
• 27a-T-10 塑性変形したGaAs中のZ型フォールテッドダイポールの高分解能電顕観察
• 半導体・セラミックスの欠陥構造 (ミニ特集 電子顕微鏡による材料研究の最前線(第2回)半導体・セラミックス機能材料の格子欠陥とミクロ構造の観察)
• 28a-T-11 CZ-GeSi混晶における不純物酸素
• 液状酸化ホウ素(B2O3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
• 22pYS-6 高濃度B添加Si結晶中の転位の運動特性
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-16 光弾性法によるZnSe結晶中の応力分布の評価(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 17aTG-2 GaNの塑性変形
• 27aYC-5 半導体結晶の硬度特性とその温度依存性
• 第3回マイクロエレクトロニクス材料に関する国際会議(ICMM-2000)
• 英国研究費事情
• シリコンの強度
• 27a-T-13 III-V族化合物半導体の降伏応力の温度依存性
• マックスプランク研究所微小構造物理部門(ハレ)
• 7a-S-2 GaAs結晶中のZ型転位双極子の高分解能顕微鏡観察
• 29a-E-11 GeSiの強度特性-III
• GeSiの強度特性-II
• 25p-H-9 III-V化合物半導体における転位の運動
• 4a-Z-4 GaAs結晶中の転位のX線トポグラフ観察
• 30a-F-7 InP結晶の強度と転位の動特性
• 4p-A3-1 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動と機械的性質
• 27p-K-7 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動
• 2p-G-6 定応力負荷速度下でのSi結晶の塑性変形挙動
• 7a-M-5 Siの塑性変形の転位動力学
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-6 不純物添加シリコン結晶中の原子空孔の形成エネルギー(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 液状酸化ホウ素(B_2O_3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
• 24aCD-2 シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24pCD-1 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24pCD-11 光弾性法による圧痕周囲の応力解析と発生転位の分布(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pAH-1 シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pAH-2 AIN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pAR-8 シリコン結晶中の空孔形成エネルギー : 2つの論文の批判的紹介(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pAR-9 シリコン結晶中の自己拡散の2つの活性化エネルギー(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pPSA-9 Si中の銅クラスターの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pPSA-13 Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28p-LG-2 固体ヘリウムの塑性変形のX線トポグラフィによる観察(格子欠陥)
• 1a-M2-5 固体ヘリウム中のSR X線による直接(格子欠陥)
• 7aSK-9 高濃度不純物添加SI結晶の転位の運動特性(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 25aXR-4 GeSi混晶中の格子間酸素(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 28pAM-4 シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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