22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 西谷 滋人

  関西学院大理工

• 西谷 滋人

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 米永 一郎

  東北大

• 米永 一郎

  東北大・金研

• 大野 裕

  阪大院理

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• 大野 裕

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Okigawa Yuki

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 西谷 滋人

  関西学院大・理工

• 谷口 僚

  関西学院大・理工

• 大野 裕

  東北大・金研

• 米永 一郎

  東北大金属材料研究所

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