大野 裕 | 東北大金研
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概要
関連著者
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大野 裕
東北大金研
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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米永 一郎
東北大金研
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大野 裕
阪大院理
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徳本 有紀
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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太子 敏則
東北大金研
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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太子 敏則
信州大学工学部
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竹田 精治
阪大院理
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
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竹田 精治
阪大・教養
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水谷 照吉
愛知工業大学電気工学科
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沓掛 健太朗
東北大金研
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Mizutani T
Nagoya Univ. Nagoya‐shi Jpn
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Mizutani Takashi
Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University
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Mizutani Takashi
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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Kishimoto Shigeru
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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八百 隆文
東北大学際セ
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MIZUTANI Takashi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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Mizutani T
Ntt Lsi Laboratories
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OHNO Yutaka
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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KISHIMOTO Shigeru
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所
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井上 海平
東北大金研
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八百 隆文
東北大金研
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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Kishimoto Shigeru
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
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Ohno Yutaka
Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University
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Mizutani Takashi
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University
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八百 隆文
東北大学際センター
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Mizutani Takashi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
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Ohno Yutaka
Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室
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吉川 純
阪大院理
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鳥越 和尚
阪大院理
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小泉 晴比古
東北大金研
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小泉 晴比古
東北大・金研
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太子 敏則
信州大学カーボン科学研究所
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藤井 克司
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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吉川 純
東北大多元研:aist:阪大院理学研究科
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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村尾 優
東北大学金属材料研究所
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KISHIMOTO Shigeru
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Mizutani Takashi
Ntt Lsi Laboratories
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井上 海平
東北大学金属材料研究所
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西谷 滋人
関西学院大・理工
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大澤 隆亮
東北大金研
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市川 聡
阪大ナノ機構
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市川 聡
産業技術総合研究所
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市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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白濱 武郎
阪大院理
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竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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藤井 克司
東北大環境
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大澤 隆亨
東北大学金属材料研究所
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市川 聡
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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井上 耕治
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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SHIMADA Takashi
Department of Applied Physics, The University of Tokyo
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西谷 滋人
関西学院大理工
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高見澤 悠
東北大金研
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伊勢 秀彰
東北大金研
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太子 敏則
東北大学金属材料研究所
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後藤 裕輝
東北大金研:東北大学際セ
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三宅 秀人
三重大工
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山本 洋佑
関西学院大学理工学部情報科学科
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河野 日出夫
阪大院理
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野上 隆文
阪大院理
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藤井 克司
東北大金研
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SHINOHARA Hisanori
Department of Cardiology and Clinical Research, National Hospital Organization Zentsuji Hospital
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沓掛 健太朗
東北大学金属材料研究所
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Okazaki T
Department Of Chemistry Nagoya University
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Shimada T
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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清水 康雄
東北大金研
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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OHNO Yutaka
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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MIZUTANI Takashi
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Maezawa Koichi
Ntt System Electronics Laboratories:(present) Faculty Of Engineering Nagoya University
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KOJIMA Yoshihiro
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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OKAZAKI Toshiya
Department of Chemistry, Nagoya University
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Shinohara Hisanori
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Nagoya University
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Ohno Yutaka
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Shinohara Hisanori
Department Of Cardiology And Clinical Research National Hospital Organization Zentsuji Hospital
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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Kojima Yoshihiro
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Kojima Yoshihiro
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Hiroshima University
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Maezawa K
Graduate School Of Science And Engineering University Of Toyama
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Okazaki Toshiya
Department Of Chemistry Nagoya University
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成田 一生
東北大学金属材料研究所
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Shimada Takashi
Department Of Applied Physics School Of Engineering The University Of Tokyo
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谷口 僚
関西学院大・理工
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Shinohara Hisanori
Department Of Cardiology And Clinical Research
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Maezawa Koichi
Univ. Of Toyama Toyama‐shi Jpn
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太子 敏則
信州大工
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沓掛 健太朗
東北大金研:JSTさきがけ
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Shimada Takashi
Department of Applied chemistry, Kinki University School of Science and Technology
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種市 寛人
東北大金研
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後藤 頼良
東北大金研
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海老澤 直樹
東北大金研
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山本 直紀
東工大院理工
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戸賀瀬 健介
関西学院大理工
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末澤 正志
東北大金研
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Vanhellemont Jan
Institute for Materials Research, Tohoku University
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山本 直紀
東工大院理工:jst-crest
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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石墨 淳
奈良先端大物質
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表 和彦
リガク
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産総研関西
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米永 一郎
東北大・金研
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末澤 正志
東北大・金研
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竹田 精冶
阪大院理
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平井 竜太
阪大院理
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金光 義彦
奈良先端大物質
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SUZUKI Kosuke
Department of Chemical Engineering and Materials Science, Doshisha University
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太子 敏則
信州大カーボン科学研究所
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尾崎 信彦
筑波大院 数理物質科学研究科
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Vanhellemont Jan
Institute For Materials Research Tohoku University
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山下 善文
岡山大院自然
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ISHIDA Masashi
Department of Orthopaedics, Graduate School of Medical Science, Kyoto Prefectural University of Medi
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MAEZAWA Koichi
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
望月 多恵
三菱化学
-
藤井 克司
三菱化学
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MAEZAWA Koichi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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Maezawa Koichi
Department Of Quantum Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
SHIMAUCHI Hideki
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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OHNAKA Hirofumi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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KUROKAWA Yuto
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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SUGAI Toshiki
Department of Chemistry, Nagoya University
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SUENAGA Kazutomo
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
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TANIGUCHI Risa
Department of Chemistry, Nagoya University
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KATO Haruhito
Department of Chemistry, Nagoya University
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CAO Baopeng
Department of Chemistry, Nagoya University
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SATO Kuninori
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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MIZUNO Shinya
Graduate School of Quantum Engineering. Nagoya University
-
尾崎 信彦
阪大院理
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植田 耕平
阪大院理
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Kawano Y
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Cao Baopeng
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Kato Haruhito
Department Of Chemistry Nagoya University
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Kurokawa Yuto
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Mizuno Shinya
Graduate School Of Bioagricultural Sciences Nagoya University
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Ishida Masashi
Department Of Chemistry Nagoya University
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Taniguchi Risa
Department Of Chemistry Nagoya University
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Suenaga Kazutomo
Laboratoire De Physique Des Solides Associe Au Cnrs (ura 002)batiment 510 Universite Paris-sud
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Suzuki Kosuke
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Sugai Toshiki
Department Of Chemistry And Institute For Advanced Research Nagoya University
-
Kato H
Waseda Univ. Tokyo Jpn
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OKIGAWA Yuki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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ONO Yuki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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MORIYAMA Naoki
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
Ohnaka Hirofumi
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Moriyama Naoki
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Sato Kuninori
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Maezawa Koichi
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Maezawa Koichi
Department Of Physics School Of Science And Engineering Waseda University:atsugi Electrical Communic
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李 憲宰
東北大学際センター
-
伊勢 秀彰
東北大学金属材料研究所
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吉田 秀人
阪大産研
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竹田 精治
阪大産研
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李 賢宰
東北大学際センター
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大野 裕
東北大・金研
-
大野 裕
東北大金研結晶欠陥物怪学
-
Suzuki Kosuke
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo
-
松永 拓也
岡山大院自然
-
正木 佳宏
関学理工
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西谷 滋人
関学理工
-
伏見 竜也
岡山大院自然
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大坪 秀礎
東北大金研
-
二宮 駿也
東北大金研
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沓掛 健太郎
東北大金研
著作論文
- 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- Suppression of Hysteresis in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors : Effect of Contamination Induced by Device Fabrication Process
- Fabrication of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Nanotubes
- Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
- Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods
- Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
- Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film
- Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
- 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
- 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
- 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
- Evidence of edge conduction at nanotube/metal contact in carbon nanotube devices
- 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
- Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
- High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
- 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 領域10,領域9「エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥」(第67回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
- 24aCD-2 シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24pCD-1 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-1 シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-2 AIN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-3 Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-9 Si中の銅クラスターの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-13 Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pAM-4 シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))