西谷 滋人 | 関西学院大理工
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概要
関連著者
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西谷 滋人
関西学院大理工
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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西谷 滋人
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金子 忠昭
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金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
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山本 洋佑
関西学院大学理工学部情報科学科
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竹田 諒平
関西学院大学理工学部情報科学科
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石井 英樹
関西学院大学理工学部情報科学科
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戸賀瀬 健介
関西学院大理工
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大谷 昇
関西学院大院大理工
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大谷 昇
関西学院大院理工:関学sicセ
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大谷 昇
関西学院大学sic材料・プロセス研究開発センター
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大谷 昇
関西学院大学 SiC 材料・プロセス研究開発センター
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大野 裕
東北大金研
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米永 一郎
東北大金研
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西谷 滋人
関学大理工
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関学大理工
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東北大
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関西学院大院大理工
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関学大院理工
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大野 裕
阪大院理
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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寺井 健太
関西学院大院理工
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
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足立 裕彦
京都大学工学研究科材料工学専攻
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徳本 有紀
東北大金研
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西谷 滋人
京大工
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世古 敦人
京都大学工学研究科材料工学専攻
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田中 功
京都大学工学研究科材料工学専攻
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足立 裕彦
京大・工
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足立 裕彦
京大工
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竹田 諒平
関学大院理工
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坂本 憲
関学大院理工
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米永 一郎
東北大・金研
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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足立 裕彦
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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Vrestal J.
Masaryk University
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西川 篤史
関西学院大院
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西谷 滋人
京大・工・材工
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Vrestal J.
Masaryk Univ. Brno Cze
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田中 功
山梨大学大学院医学工学総合研究部附属クリスタル科学研究センター
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Tanaka I
Division Of Biological Science Graduate School Of Science Hokkaido University
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足立 裕彦
京都大学 大学院工学研究科
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廣岡 愛未
関西学院大学理工学部・高砂市立荒井中学校非常勤職員
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谷口 僚
関西学院大・理工
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大野 裕
東北大・金研
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正木 佳宏
関西学院大理工
著作論文
- 22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-1 SiC結晶成長の第一原理計算(領域10,領域9合同(結晶成長),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 擬調和振動子近似による振動自由エネルギーの第一原理計算
- 析出核生成による自由エネルギーの第一原理計算
- 22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aWA-1 SiC表面拡散の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aXK-4 準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTD-1 SiCの有限温度における相安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-3 準安定溶媒法(MSE)における炭素濃度変化のシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Metastable Solvent EpitaxyによるSiCの結晶成長シミュレーション
- 26pYK-2 ZrCr_2 Laves相の熱安定性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-4 鉄中溶質元素の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pTG-3 大規模シミュレーションのための経験ポテンシャルの開発の現状
- パターンとペアプロの数式処理ソフト学習への適用 (数式処理と教育)
- 23aGQ-9 Mg合金の長周期積層欠陥構造の第一原理計算(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-10 SiC結晶多形における振動自由エネルギーの第一原理計算(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-6 熱膨張を加味したSiC結晶多形における振動自由エネルギーの第一原理計算(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))