25pYK-1 SiC結晶成長の第一原理計算(領域10,領域9合同(結晶成長),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 2009-08-18
著者
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西谷 滋人
関西学院大理工
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金子 忠昭
関西学院大理工
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西谷 滋人
関学大理工
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金子 忠昭
関学大理工
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
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西谷 滋人
関西学院大・理工
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