21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
西谷 滋人
関西学院大理工
-
金子 忠昭
関西学院大理工
-
西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
-
金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
-
石井 英樹
関西学院大学理工学部情報科学科
-
西谷 滋人
関西学院大・理工
関連論文
- 22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-1 SiC結晶成長の第一原理計算(領域10,領域9合同(結晶成長),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 擬調和振動子近似による振動自由エネルギーの第一原理計算
- 析出核生成による自由エネルギーの第一原理計算
- 22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aWA-1 SiC表面拡散の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aXK-4 準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTD-1 SiCの有限温度における相安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-3 準安定溶媒法(MSE)における炭素濃度変化のシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Metastable Solvent EpitaxyによるSiCの結晶成長シミュレーション
- 22aYD-2 透過型 X 線反射率による Ga/GaAs 融液成長のその場観察
- 17pWD-13 GaAs(111)BにおけるRHEED強度振動異常を用いた(2×2)→(√×√)相転移の動的解明
- 17pWD-12 GaAs(100)成長初期におけるRHEED強度振動異常の解明
- 26pYK-2 ZrCr_2 Laves相の熱安定性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-4 鉄中溶質元素の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pTG-3 大規模シミュレーションのための経験ポテンシャルの開発の現状
- 珪藻殻自己組織化機能を用いた人工バイオミネラリゼーション(ナノバイオテクノロジー)
- 珪藻殻自己組織化機能を用いた人工バイオミネラリゼーション
- パターンとペアプロの数式処理ソフト学習への適用 (数式処理と教育)
- パターンとペアプロの数式処理ソフト学習への適用 (数式処理と教育--RIMS研究集会報告集)
- "その場"マスクレス・ナノリソグラフィ (特設記事 21世紀を創るエレクトロニクス技術)
- 23aGQ-9 Mg合金の長周期積層欠陥構造の第一原理計算(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-10 SiC結晶多形における振動自由エネルギーの第一原理計算(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-6 熱膨張を加味したSiC結晶多形における振動自由エネルギーの第一原理計算(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-4 SiC中のマイクロパイプ生成の環境依存性(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- バルク中でのナノサイズ熱力学と相安定性
- 20pAH-4 第一原理計算によるLPSO相型Mg合金の生成機構の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-3 小傾角粒界の粒子シミュレーション(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Maple版ルフィの仲間たちに試練を!! : ペア評価による数式処理ソフト教育 (数学ソフトウェアと教育 : 数学ソフトウェアの効果的利用に関する研究)
- 25pPSA-12 Mg合金における積層欠陥エネルギーの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-9 Si中の銅クラスターの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-8 モンテカルロシミュレーションによる固体の自由エネルギー計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-13 Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))