21aXK-4 準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
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西谷 滋人
関西学院大理工
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金子 忠昭
関西学院大理工
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西谷 滋人
関学大理工
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金子 忠昭
関学大理工
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
-
西谷 滋人
関西学院大・理工
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