21pTD-1 SiCの有限温度における相安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
西谷 滋人
関西学院大理工
-
金子 忠昭
関西学院大理工
-
西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
-
金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
-
竹田 諒平
関西学院大学理工学部情報科学科
-
竹田 諒平
関学大院理工
-
西谷 滋人
関学大院理工
-
金子 忠昭
関学大院理工
-
西谷 滋人
関西学院大・理工
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