25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 2009-08-18
著者
-
戸賀瀬 健介
関西学院大理工
-
西谷 滋人
関西学院大理工
-
金子 忠昭
関西学院大理工
-
西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
-
金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
-
西谷 滋人
関西学院大・理工
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