戸賀瀬 健介 | 関西学院大理工
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概要
関連著者
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戸賀瀬 健介
関西学院大理工
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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西谷 滋人
関西学院大・理工
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西谷 滋人
関西学院大理工
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金子 忠昭
関西学院大理工
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金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
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大野 裕
東北大金研
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米永 一郎
東北大金研
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徳本 有紀
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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山本 洋佑
関西学院大学理工学部情報科学科
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寺井 健太
関西学院大院大理工
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大谷 昇
関西学院大院大理工
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大野 裕
阪大院理
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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大谷 昇
関西学院大院理工:関学sicセ
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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寺井 健太
関西学院大院理工
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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大谷 昇
関西学院大学sic材料・プロセス研究開発センター
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
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西谷 滋人
関西学院大学
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大坪 秀礎
関西学院大学
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大谷 昇
関西学院大学 SiC 材料・プロセス研究開発センター
著作論文
- 25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-4 SiC中のマイクロパイプ生成の環境依存性(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))