Okamoto Yasunori | Research And Headquarters Kubota Corporation
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概要
関連著者
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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大野 裕
東北大金研
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大野 裕
阪大院理
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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米永 一郎
東北大
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米永 一郎
東北大金研
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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徳本 有紀
東北大金研
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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太子 敏則
信州大学工学部
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太子 敏則
東北大金研
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竹田 精治
阪大院理
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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Kishimoto Shigeru
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Mizutani T
Nagoya Univ. Nagoya‐shi Jpn
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Mizutani Takashi
Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University
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水谷 照吉
愛知工業大学電気工学科
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竹田 精治
阪大・教養
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Kishimoto Shigeru
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
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村尾 優
東北大学金属材料研究所
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MIZUTANI Takashi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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OHNO Yutaka
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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KISHIMOTO Shigeru
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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Ohno Yutaka
Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University
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KISHIMOTO Shigeru
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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沓掛 健太朗
東北大学金属材料研究所
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Mizutani T
Ntt Lsi Laboratories
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Mizutani Takashi
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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八百 隆文
東北大金研
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八百 隆文
東北大学際セ
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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Maezawa Koichi
Ntt System Electronics Laboratories:(present) Faculty Of Engineering Nagoya University
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Maezawa K
Graduate School Of Science And Engineering University Of Toyama
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室
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吉川 純
阪大院理
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鳥越 和尚
阪大院理
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小泉 晴比古
東北大金研
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小泉 晴比古
東北大・金研
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太子 敏則
信州大学カーボン科学研究所
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HIYAMIZU Satoshi
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
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藤井 克司
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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吉川 純
東北大多元研:aist:阪大院理学研究科
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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Shimomura S
Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
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Shimomura Satoshi
Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University
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Hiyamizu S
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Adachi Akira
R&d Division Nissin Electric Co. Ltd.
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Sano Naokatsu
Faculty Of Science Kwansei-gakuin University
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Sano Naokatsu
Department Of Physics School Of Science Kwansei Gakuin University
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Sano Naokatsu
School Of Science Kwansei Gakuin University
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SANO Naoki
Sony Research Center
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Adachi A
Advanced Materials Laboratory Japan Chemical Innovation Institute
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OKAMOTO Yasunori
Research and Headquarters, Kubota Corporation
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HIYAMIZU Satoshi
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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MAEZAWA Koichi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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大澤 隆亮
東北大金研
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市川 聡
阪大ナノ機構
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市川 聡
産業技術総合研究所
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市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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Sano Naokatsu
Faculty Of Engineering Science Osaka University
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SHIMOMURA Satoshi
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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OHNO Yutaka
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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MIZUTANI Takashi
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Mizutani Takashi
Ntt Lsi Laboratories
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KITADA Takahiro
Osaka University
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Ohno Yutaka
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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白濱 武郎
阪大院理
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Saeki Tatsuya
Graduate School Of Engineering Science Osaka University
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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SHIMADA Takashi
Department of Applied Physics, The University of Tokyo
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西谷 滋人
関西学院大理工
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伊勢 秀彰
東北大金研
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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太子 敏則
東北大学金属材料研究所
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後藤 裕輝
東北大金研:東北大学際セ
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OHNO Hideo
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku University
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河野 日出夫
阪大院理
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野上 隆文
阪大院理
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藤井 克司
東北大金研
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SHINOHARA Hisanori
Department of Cardiology and Clinical Research, National Hospital Organization Zentsuji Hospital
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Okazaki T
Department Of Chemistry Nagoya University
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Shimada T
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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Ohno H
Jaeri-riken Spring-8 Project Team
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Ohno Hideo
Molten Material Laboratory Division Of Nuclear Fuel Research Japan Atomic Energy Research Institute
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Ohno Hideo
Laboratory For Electronic Intelligent Systems
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SAEKI Tatsuya
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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MOTOKAWA Takeharu
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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KITADA Takahiro
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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ADACHI Akira
Research Development Division, Nissin Electric Co. Ltd.
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尾崎 信彦
筑波大院 数理物質科学研究科
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MAEZAWA Koichi
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Matsukura F
Research Institute Of Electrical Communications
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Matsukura Fumihiro
Hokkaido University
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KOJIMA Yoshihiro
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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OKAZAKI Toshiya
Department of Chemistry, Nagoya University
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AKITA Mitsutoshi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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尾崎 信彦
阪大院理
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Shinohara Hisanori
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Nagoya University
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植田 耕平
阪大院理
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Matsukura Fumihiro
Research Institute Of Electrical Communications
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Kawano Y
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Shinohara Hisanori
Department Of Cardiology And Clinical Research National Hospital Organization Zentsuji Hospital
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Kurokawa Yuto
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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Kojima Yoshihiro
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Kojima Yoshihiro
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Hiroshima University
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山本 直紀
東工大院理工
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井上 耕治
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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戸賀瀬 健介
関西学院大理工
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高見澤 悠
東北大金研
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末澤 正志
東北大金研
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Vanhellemont Jan
Institute for Materials Research, Tohoku University
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山本 直紀
東工大院理工:jst-crest
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石墨 淳
奈良先端大物質
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表 和彦
リガク
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MATSUKURA Fumihiro
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku University
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産総研関西
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米永 一郎
東北大・金研
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末澤 正志
東北大・金研
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竹田 精冶
阪大院理
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平井 竜太
阪大院理
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金光 義彦
奈良先端大物質
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山本 雅彦
阪大工
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足立 直人
阪大院理
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Yamamoto Masanobu
Sony Corp. Tokyo Jpn
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SUZUKI Kosuke
Department of Chemical Engineering and Materials Science, Doshisha University
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太子 敏則
信州大カーボン科学研究所
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清水 康雄
東北大金研
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Yamamoto M
Ntt System Electrics Lab. Kanagawa Jpn
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Wakejima Akio
Faculty Of Engineering Science Osaka University
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SHIMOMURA Satoshi
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
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SIMOMURA Satoshi
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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ADACHI Akira
R&D Division Nissin Electric Co., Ltd.
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HIGASHIWAKI Masataka
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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YAMAMOTO Masanori
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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HIGUCHI Takahiro
Faculty of Science, Kwansei-Gakuin University
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ADACHI Akira
Nissin Electric Co. Ltd.
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SANO Naokatsu
Nissin Electric Co. Ltd.
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MURASE Kazuo
Faculty of Science, Osaka University
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Ohashi M
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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Vanhellemont Jan
Institute For Materials Research Tohoku University
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ISHIDA Masashi
Department of Orthopaedics, Graduate School of Medical Science, Kyoto Prefectural University of Medi
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MATSUKURA Fumihiro
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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Matsukura Fumihiro
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
Matsukura Fumihiro
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
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OHNO Yuzo
Tohoku University
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KOHDA Makoto
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok
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OHNO Yuzo
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok
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TAKAMURA Koji
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok
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望月 多恵
三菱化学
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藤井 克司
三菱化学
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NAKAO Takeshi
Department of Electrical and Information Systems, Osaka Prefecture University
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Hiyamizu Satoshi
Graduate School Of Engineering Science Osaka University
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Murase Kazuo
Faculty Of Science Osaka University
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Maezawa Koichi
Department Of Quantum Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University
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OHNAKA Hirofumi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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KUROKAWA Yuto
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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SUGAI Toshiki
Department of Chemistry, Nagoya University
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SUENAGA Kazutomo
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
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TANIGUCHI Risa
Department of Chemistry, Nagoya University
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KATO Haruhito
Department of Chemistry, Nagoya University
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CAO Baopeng
Department of Chemistry, Nagoya University
-
SATO Kuninori
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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MIZUNO Shinya
Graduate School of Quantum Engineering. Nagoya University
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Kawano Yoichi
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
KITADA Takahiro
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
-
Higuchi Takahiro
Faculty Of Science Kwansei-gakuin University
-
KAWANO Yoichi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
Cao Baopeng
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Kohda Makoto
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
-
Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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Yokoyama Yuji
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Takamura Koji
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
-
Nakao Takeshi
Department Of Electrical And Information Systems Osaka Prefecture University
-
Kato Haruhito
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Mizuno Shinya
Graduate School Of Bioagricultural Sciences Nagoya University
-
Ishida Masashi
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Taniguchi Risa
Department Of Chemistry Nagoya University
-
Suenaga Kazutomo
Laboratoire De Physique Des Solides Associe Au Cnrs (ura 002)batiment 510 Universite Paris-sud
-
MURASE Kouki
Department of Electrical Engineering, Osaka University
-
Suzuki Kosuke
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Sugai Toshiki
Department Of Chemistry And Institute For Advanced Research Nagoya University
-
Kato H
Waseda Univ. Tokyo Jpn
-
OKIGAWA Yuki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
ONO Yuki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
MORIYAMA Naoki
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
Ohnaka Hirofumi
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Murase Kouki
Department Of Electrical Engineering Osaka University
-
Moriyama Naoki
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Higashiwaki M
National Institute Of Information And Communications Technology
著作論文
- 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- Extremely Flat Interfaces in In_xGa_As/Al_Ga_As Quantum Wells Grown on (411)A GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- Extremely Flat Interfaces in In_xGa_As/Al_Ga_As Quantum Wells Grown on (411)A GaAs Substrates by MBE
- High-Density GaAs/AlAs Quantum Wires Grown on (775)B-Oriented GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- Extremely Flat Interfaces in GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown on GaAs (411)A Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- Semiconductor Spin Electronics
- A Spin Esaki Diode
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- Fabrication of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Nanotubes
- Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
- Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods
- Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
- Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film
- Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
- Electroluminescence in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under High Bias Voltage (Short Note)
- Temperature Distribution Measurement in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Micro-Raman Scattering Spectroscopy : Semiconductors
- 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
- 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
- 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- High-Speed Operation of a Novel Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit
- 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
- 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
- 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
- 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
- Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
- High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
- A Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Using Resonant Tunneling Diodes(Semiconductors)
- 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
- Super-Flat Interfaces in Pseudomorphic In_xGa_As/Al_Ga_As Quantum Wells with High In Content (x = 0.15) Grown on (411)A GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
- 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube (Special Issue : Solid State Devices and Materials (1))
- 24pCD-6 IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-4 赤外吸収による熱処理したGe単結晶内の格子間酸素の測定(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-5 ゲルマニウム単結晶における酸素の熱処理による拳動(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))