24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 太子 敏則

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 小泉 晴比古

  東北大金研

• 小泉 晴比古

  東北大・金研

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

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