27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 大野 裕

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 八百 隆文

  東北大金研

• 大野 裕

  阪大院理

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• 八百 隆文

  東北大学際セ

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• 八百 隆文

  Center For Interdisciplinary Research Tohoku University

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• 大野 裕

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Okigawa Yuki

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 李 憲宰

  東北大学際センター

• 八百 隆文

  東北大学際センター

• 米永 一郎

  東北大金属材料研究所

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