Ohno Y | Nagoya Univ. Naogya Jpn
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概要
関連著者
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
-
Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
-
Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
大野 裕
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
-
米永 一郎
東北大金研
-
大野 裕
東北大学金属材料研究所
-
徳本 有紀
東北大金研
-
Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
大野 裕
阪大院理
-
大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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太子 敏則
信州大学工学部
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
-
太子 敏則
東北大金研
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所
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村尾 優
東北大学金属材料研究所
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沓掛 健太朗
東北大学金属材料研究所
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井上 海平
東北大金研
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井上 海平
東北大学金属材料研究所
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室
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NISHIMURA Tadashi
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
太子 敏則
信州大学カーボン科学研究所
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TAKAI Mikio
Faculty of Engineering Science, and Research Center for Extreme Materials, Osaka University
-
Nishimura Tadashi
The Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Sayama H
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
Takai Mikio
Faculty Of Engineering Science And Research Center For Extreme Materials (rcem) Osaka University
-
Nishimura Tadashi
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
太子 敏則
信州大学工学研究科
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八百 隆文
東北大金研
-
八百 隆文
東北大学際セ
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
-
SAYAMA Hirokazu
Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials, Osaka University
-
Satoh Shin-ichi
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
Satoh S
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
Sayama Hirokazu
Faculty Of Engineering Science And Research Center For Extreme Materials Osaka University
-
Kishimoto T
Department Of Physics Osaka University
-
Kishimoto T
Department Of Electrical Engineering Waseda University
-
Sonoda K
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
八百 隆文
東北大学際センター
-
大澤 隆亮
東北大金研
-
Takai M
Research Center For Materials Science At Extreme Conditions And Graduate School Of Engineering Scien
-
SONODA Kenichirou
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
Kishimoto Shigeru
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Kimura H
Molecular Neuroscience Research Center Shiga University Of Medical Science
-
Kimura Hiroshi
Molecular Neuroscience Research Center Shiga University Of Medical Science
-
大澤 隆亨
東北大学金属材料研究所
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Takai Mikio
Faculty Of Engineering Science And Reseatch Center For Extreme Materials
-
竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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西谷 滋人
関西学院大理工
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水谷 照吉
愛知工業大学電気工学科
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伊勢 秀彰
東北大金研
-
西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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太子 敏則
東北大学金属材料研究所
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Horino Y
Diamond Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
-
MIYOSHI Hirokazu
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
-
藤井 克司
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
-
KISHIMOTO Takehisa
Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials, Osaka University
-
KINOMURA Atsushi
Osaka National Research Institute, AIST
-
HORINO Yuji
Osaka National Research Institute, AIST
-
FUJII Kanenaga
Osaka National Research Institute, AIST
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SATOH Shinichi
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
Kimura Hiroshi
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
Hara Shigenori
Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials
-
Hara S
Osaka Univ. Suita‐shi Jpn
-
Hara S
The Department Of Electronic Information And Energy Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
-
HORINO Yuji
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
-
KINOMURA Atsushi
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
-
Hara Shinsuke
The Faculty Of Engineering Osaka University
-
Mizutani T
Nagoya Univ. Nagoya‐shi Jpn
-
Mizutani T
Ntt Lsi Laboratories
-
Mizutani Takashi
Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University
-
Mizutani Takashi
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Horiba Yasutaka
System Lsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
Miyoshi Hirokazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
Nishimura Tadashi
Ulsi Research And Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Kishimoto Shigeru
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Hara Shinsuke
The Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
-
Miyoshi H
Mitsubishi Electric Corp.
-
Miyoshi Hirokazu
徳島大学医学部
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Horino Yuji
National Inst. Of Advanced Industrial Sci. And Technol. Kansai Osaka Jpn
-
Kinomura A
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
藤井 克司
東北大環境
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成田 一生
東北大学金属材料研究所
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Mizutani Takashi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
-
西谷 滋人
関西学院大・理工
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太子 敏則
信州大工
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沓掛 健太朗
東北大金研
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Ohno Yutaka
Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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井上 耕治
東北大金研
-
永井 康介
東北大金研
-
戸賀瀬 健介
関西学院大理工
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高見澤 悠
東北大金研
-
末澤 正志
東北大金研
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Vanhellemont Jan
Institute for Materials Research, Tohoku University
-
表 和彦
リガク
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竹田 精治
阪大院理
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米永 一郎
東北大・金研
-
末澤 正志
東北大・金研
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市川 聡
阪大ナノ機構
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河野 日出夫
阪大院理
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野上 隆文
阪大院理
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市川 聡
産業技術総合研究所
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市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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小泉 晴比古
東北大金研
-
小泉 晴比古
東北大・金研
-
Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
-
Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
-
SUZUKI Kosuke
Department of Chemical Engineering and Materials Science, Doshisha University
-
Park Y‐k
Samsung Electronics Gyeonggi‐do Kor
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TAKAI Mikio
Research Center for Materials Science at Extreme Conditions, Osaka University
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INUISHI Masahide
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
EIMORI Takahisa
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation
-
太子 敏則
信州大カーボン科学研究所
-
清水 康雄
東北大金研
-
Horino Y
Advanced Device Development Dept. Renesas Technology Corp.
-
Vanhellemont Jan
Institute For Materials Research Tohoku University
-
OHNO Yutaka
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
KISHIMOTO Shigeru
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
MIZUTANI Takashi
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
Eimori T
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
Eimori Takahisa
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
KISHIMOTO Takehisa
Research Center for Materials Science at Extreme Conditions and Faculty of Engineering Science, Osak
-
PARK Yang-Keun
Faculty of Engineering Science and Research Center for Extreme Materials, Osaka University
-
SAYAMA Hirokazu
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
MORIHARA Toshinori
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
KATAYAMA Toshiharu
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
Sonoda Ken-ichiro
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
KOTANI Norihiko
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
KIMURA Hiroshi
LSI Research and Development Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
OHNO Yoshikazu
LSI Research and Development Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
SATOH Shinichi
LSI Research and Development Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
MIZUTANI Takashi
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
OHNO Yutaka
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
KISHIMOTO Shigeru
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
Satoh Shin-ichi
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
Morihara Toshinori
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
Ohno Yutaka
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Ohno Yutaka
Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Sayama Hirokazu
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Suzuki Kosuke
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
OKIGAWA Yuki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
ONO Yuki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
MORIYAMA Naoki
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
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Inuishi Masahide
Advanced Device Development Dept. Renesas Technology Corp.
-
Inuishi Masahide
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
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Kotani N
Ulsi Research And Development Center Mitsubishi Electric Corporation
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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Takai Mikio
Research Center For Environmental Genomics Kobe University
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Moriyama Naoki
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Katayama Toshiharu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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Kotani Norihiko
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
Mizutani Takashi
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Satoh Shinichi
Lsi Research & Development Lab.
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李 憲宰
東北大学際センター
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伊勢 秀彰
東北大学金属材料研究所
-
吉田 秀人
阪大産研
-
竹田 精治
阪大産研
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李 賢宰
東北大学際センター
-
谷口 僚
関西学院大・理工
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大野 裕
東北大・金研
-
市川 聡
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
Suzuki Kosuke
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo
-
Kotani Norihiko
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation
-
Sonoda Ken-ichiro
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation
-
Okigawa Yuki
Department of Quantum Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan
-
後藤 頼良
東北大金研
-
Katayama Toshiharu
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan
-
海老澤 直樹
東北大金研
著作論文
- 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- Control of Carrier Collection Efficiency in n+p Diode with Retrograde Well and Epitaxial Layers
- Control of Carrier Collection Efficiency in n^+p Diode with Retrograde Well and Epitaxial Layers
- Well Structure by High-Energy Boron Implantation for Soft-Error Reduction in Dynamic Random Access Memories (DRAMs)
- Estimation of Carrier Suppression by High-Energy Boron-Implanted Layer for Soft Error Reduction
- Disk-Shaped Stacked Capacitor Cell for 256 Mb Dynamic Random-Access Memory
- Soft-Error Study of DRAMs with Retrograde Well Structure by New Evaluation Method (Special Issue on Quarter Micron Si Device and Process Technologies)
- Charge Collection Control Using Retrograde Well Tested by Proton Microprobe Irradiation
- New Method for Soft-Error Mapping in Dynamic Random Access Memory Using Nuclear Microprobe
- Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
- High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube (Special Issue : Solid State Devices and Materials (1))
- 24pCD-6 IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-4 赤外吸収による熱処理したGe単結晶内の格子間酸素の測定(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-5 ゲルマニウム単結晶における酸素の熱処理による拳動(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))