高見澤 悠 | 東北大金研
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概要
関連著者
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高見澤 悠
東北大金研
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清水 康雄
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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米永 一郎
東北大金研
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井上 耕治
東北大金研
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高見澤 悠
東北大学大学院工学研究科
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大野 裕
東北大金研
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井上 耕治
京大院工
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井上 耕治
東北大 金属材料研
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井上 耕治
京大工
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井上 海平
東北大金研
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海老澤 直樹
東北大金研
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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角村 貴昭
MIRAI-Selete
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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矢野 史子
MIRAI-Selete
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外山 健
東北大金研
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長谷川 雅幸
東北大金研
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武内 伴照
東北大金研
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徳本 有紀
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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大野 裕
阪大院理
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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最上 徹
MIRAI-Selete
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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吉田 秀人
阪大産研
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竹田 精治
阪大産研
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井上 耕治
京都大学大学院工学研究科:(現)東北大学金属材料研究所
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清水 康雄
東北大学金属材料研究所
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沓掛 健太朗
東北大金研
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井上 耕治
京都大学大学院工学研究科
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二宮 駿也
東北大金研
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沓掛 健太郎
東北大金研
著作論文
- 27aRB-3 陽電子消滅法による低温電子線照射したSi-Ge単結晶中の空孔型欠陥の回復挙動(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- レーザー3次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析
- レーザー3次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析(最近の研究から)
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pAM-4 シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))